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GaN基气体传感器制备及性质研究的中期报告.docx
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GaN基气体传感器制备及性质研究的中期报告.docx
该【GaN基气体传感器制备及性质研究的中期报告 】是由【niuww】上传分享,文档一共【1】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【GaN基气体传感器制备及性质研究的中期报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。GaN基气体传感器制备及性质研究的中期报告摘要:本文主要介绍了制备GaN基气体传感器的过程和性质研究的初步结果。首先,采用金属有机分解法在Si(111)衬底上制备了GaN薄膜,并通过XRD、SEM、EDX等手段对其进行了表征。其次,利用电子束蒸发技术制备了电极,进一步制备了GaN基气体传感器,并通过I-V测试和氨气敏感测试评估了其性能。实验结果表明,制备的GaN薄膜为高晶质、均匀的多晶态结构,GaN基气体传感器具有优良的I-V特性和较高的氨气敏感性能。未来,我们将继续对其性能进行优化和加强其应用前景的研究。关键词:GaN基;气体传感器;制备;性质研究Abstract:ThispapermainlyintroducestheprocessofpreparingGaN-,GaNthinfilmswerepreparedonSi(111)positionmethod,andcharacterizedbyXRD,SEM,,electrodeswerepreparedbyelectronbeamevaporationtechnology,andthenGaN--,andtheGaN-basedgassensorhadexcellentI-,:GaN-based;gassensor;preparation;propertyresearch
GaN基气体传感器制备及性质研究的中期报告 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.
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