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该【GaN外延层与纳米线的制备及表征的中期报告 】是由【niuww】上传分享，文档一共【1】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【GaN外延层与纳米线的制备及表征的中期报告 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。GaN外延层与纳米线的制备及表征的中期报告本次研究的目的是制备GaN外延层和纳米线以及对其进行表征。研究分为两个部分,第一部分是GaN外延层的制备,第二部分是GaN纳米线的制备。第一部分,GaN外延层的制备。采用MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长GaN外延层。通过控制外延层表面形貌和质量,探究在不同条件下对GaN生长行为的影响。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对GaN外延层进行了表征,结果表明GaN层质量良好,表面光滑,没有明显缺陷。第二部分,GaN纳米线的制备。采用先进的溶胶-凝胶化学反应法制备GaN纳米线,并研究不同条件下GaN纳米线的生长行为。通过SEM、XRD和AFM对GaN纳米线进行了表征,结果表明纳米线直径在20-50nm之间,具有良好的晶体结构和高的结晶度。总结下来,本次研究成功地制备了GaN外延层和纳米线,并对其进行了表征。这项研究为其他相关领域的研究提供了参考,为大幅优化GaN基材料的性能以及开发相关的纳米电子元件提供了支持。
GaN外延层与纳米线的制备及表征的中期报告 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.
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