下载此文档

GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究的中期报告.docx


文档分类:论文 | 页数:约1页 举报非法文档有奖
1/1
下载提示
  • 1.该资料是网友上传的,本站提供全文预览,预览什么样,下载就什么样。
  • 2.下载该文档所得收入归上传者、原创者。
  • 3.下载的文档,不会出现我们的网址水印。
1/1 下载此文档
文档列表 文档介绍
该【GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究的中期报告 】是由【niuww】上传分享,文档一共【1】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究的中期报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究的中期报告本文为GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究的中期报告。该研究旨在研究GaN外延生长过程中的SOI柔性衬底技术,并探索其对GaN外延质量和性能的影响。目前,我们已经完成了外延生长的初步实验。在实验中,我们使用了SOI衬底,并通过剥离技术将硅层剥离,获得了柔性衬底。接下来,我们在柔性衬底上进行了GaN外延生长。初步的结果显示,使用SOI柔性衬底可以获得良好的GaN外延。与传统硅衬底相比,SOI柔性衬底可以提高外延质量和晶格匹配度。这主要是因为SOI柔性衬底可以提供更好的面向表面、更低的晶格失配和减少GaN中的附加缺陷。此外,我们还研究了柔性衬底在GaN外延过程中的固有特性对外延质量和性能的影响。初步结果表明,SOI柔性衬底的厚度、孔洞密度和孔洞直径等参数对GaN外延质量和性能有较大影响。我们将进一步研究这些影响,并寻找优化实验参数的方法。综上所述,SOI柔性衬底技术对于GaN外延生长具有很大的潜力。我们将继续深入研究,并进一步优化实验参数,以提高GaN外延的质量和性能。

GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究的中期报告 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.

相关文档 更多>>
非法内容举报中心
文档信息
  • 页数1
  • 收藏数0 收藏
  • 顶次数0
  • 上传人niuww
  • 文件大小10 KB
  • 时间2024-03-27