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高比活度的Sn-117M组合物及其制备方法.docx


文档分类:高等教育 | 页数:约27页 举报非法文档有奖
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于扁平真空室沈内以产生离子束16。两个D形物M被连接至高频交流电压(未显示)。D形物M和真空室沈被置于磁体(未显示)的两极之间,使得磁场对构成离子束16的α颗粒操作以将α颗粒限制到D形物M内部的扁平螺旋路径22。在D形物M之间的间隙30处,α颗粒因D形物M之间的电势差而经历加速。离子束16源于回旋加速器20的中心处的离子源,并且当离子在D形物M内向外螺旋时,每一次横跨D形物M之间的间隙,它们就获得恒定增加的能量。可以存在内部束靶的两个大体位置;靴可以被置于偏转电极32之前或之后。靶10'可以被定位在真空室沈内部且在偏转电极32之前,或在通过偏转电极32从螺旋路径22将离子束16提取到真空室内之后,如靶10表示的那样定位。离子束16可以被产生在低或中等能量的加速器内,正如本文使用的,该加速器包括这样的加速器,即能够产生具有约30MeV到约60MeV范围内的入射动能和至少约10μA范围的离子束电流的α颗粒的离子束。[0031]然而,加速器不需要能够产生覆盖全部能量范围和电流范围的离子束。加速器可以产生超过60MeV的离子束能量,只要加速器能够产生约30MeV到约60MeV范围内的离子束。用于本发明的任何特定实施方案的离子束电流并不限于任何具体量。相反,特定能量或能量范围的离子束电流通常将受到加速器能力和/或传热考虑因素的限制。此外,离子束电流能够足以产生足够用于放射性药物成像或治疗剂或组合物的临床应用的量的放射性核素(以居里进行测量)。离子束16可以在大致匹配,但略小于靶层表面积的撞击面积上撞击靶

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