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芯片基础--模拟集成电路设计智慧树知到课后章节答案2023年下山东工商学院.pdf


文档分类:通信/电子 | 页数:约44页 举报非法文档有奖
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】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。:..,目前高性能模拟集成电路的设计已经能自动完成。A:错B:,模拟设计需要设计者利用经验和直觉来分析仿真结果A:对B:错答案:、功耗、增益、精度、电源电压等多种因素间进行折衷A:错B:对答案:。:..B:,本征速度越来越快(已可与双极器件相比较),现在几GHz~几十GHz的CMOS模拟集成电路已经可批量生产。A:错B:对答案:,模拟集成电路的设计更加基础,更加灵活。A:错B:对答案:,又称SOC,其英文全称是:A:SystemOperationsCenterB:SystemonChipC:SeparationofconcernsD:puter答案::..,其英文全称为:A:ComplementaryMachineOfSemiconductorB:ComplementaryMetalOxideSemiconductorC:ComplementaryMetalOxideSystemD:,英文简称ADC,英文全称为:A:AmbulancetoDigitalConverterB:AmbulancetoDestinationConverterC:Analog-to-DigitalConverterD:Analog-to-DestinationConverter:..Analog-to-,不可以互换。A:错B:对答案:,最低电压是,那么NMOS器件的衬底应该接。A:对B:错答案:,这告诉我们要根据实际集成电路的情况来判断电路的源极和漏极。A:错B:对答案:():..A:B:版图中沟道长度L的最小值由工艺决定C:版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里D:源结和漏结的一个尺寸等于W,另外一个尺寸要满足接触孔的需要,,不正确的是()A:在器件制造过程中,可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压B:若,则NMOS器件关断C:当时,NMOS器件导通D:NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅源电压:..若,()A:当时,NMOS器件工作在截止区B:当时,NMOS器件工作在饱和区,C:当,并且NMOS器件工作在线性区D:当时,且时,NMOS器件工作在深线性区答案:当时,NMOS器件工作在截止区;当时,NMOS器件工作在饱和区,;当,():..A:90nm工艺,其中的90nm是指器件的栅氧化层的厚度toxB:一般所说的90nm工艺,其中的90nm是指器件的最小沟道长度LC:tox是器件栅氧化层的厚度,由工艺决定D:L是器件的沟道长度,W是器件的宽度答案一般所说的90nm工艺,其中的90nm是指器件的最小沟道长度L;tox是器件栅氧化层的厚度,由工艺决定;L是器件的沟道长度,,正确的是()A:体效应导致设计参数复杂,模拟集成电路设计往往不希望其存在,但也有利用体效应的电路。B:不改变衬底电势也可能会产生体效应。C::..可能会产生体效应。D:源电压相对于衬底电势发生改变,使得源衬电势差不为0,就会产生体效应。答案体效应导致设计参数复杂,模拟集成电路设计往往不希望其存在,但也有利用体效应的电路。;不改变衬底电势也可能会产生体效应。;改变衬底电势可能会产生体效应。;源电压相对于衬底电势发生改变,使得源衬电势差不为0,就会产生体效应。()A:当时,漏极电流以有限速度下降,导致功率损耗或模拟信息的丢失B:亚阈值区的跨导比饱和区(强反型区)跨导大,有利于实现大的放大倍数C:MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA,常用于低功耗放大器、带隙基准设计:..D:MOS由0增大到大于阈值电压,经历截止---弱反型---强反型,这是一个渐进的过程,故当时,仍有存在答案当时,漏极电流以有限速度下降,导致功率损耗或模拟信息的丢失;亚阈值区的跨导比饱和区(强反型区)跨导大,有利于实现大的放大倍数;MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA,常用于低功耗放大器、带隙基准设计;MOS管由0增大到大于阈值电压,经历截止---弱反型---强反型,这是一个渐进的过程,故当时,()A:MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式,各寄生电容计算式等推导建立B:MOS器件的低频小信号模型,主要考虑了跨导,体效应以及沟道调制效应等参数C:MOS器件的高频小信号模型,除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数,还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响:..D:信号模型简化计算答案MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式,各寄生电容计算式等推导建立;MOS器件的低频小信号模型,主要考虑了跨导,体效应以及沟道调制效应等参数;MOS器件的高频小信号模型,除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数,还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响;当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时,,正确的是()A:放大不能为数字电路提供逻辑电平。B:在大多数模拟电路和许多数字电路中,放大是一个基本功能。C::..能克服后继的噪声D:放大在反馈系统中起着重要作用。答案在大多数模拟电路和许多数字电路中,放大是一个基本功能。;我们放大一个模拟或数字信号是因为这个信号太小而不能驱动负载,或者不能克服后继的噪声;放大在反馈系统中起着重要作用。,正确的是()A:小信号使电路偏置点受到的扰动可忽略不记B:假定某MOS器件的栅源过驱动电压VGS–VTH=,则|vgs(t)|:一般小信号是交流信号D:若小信号变化幅度过大,则会影响直流偏置点,需用大信号分析答案:小信号使电路偏置点受到的扰动可忽略不记:..;;若小信号变化幅度过大,则会影响直流偏置点,()A:B:C:D:答案;;;:..、以一个NMOS器件为主放大管的共源极电路,增大其小信号增益的措施有()A:减小NMOS器件的漏极电流B:增大NMOS器件的宽长比W/LC:减小NMOS器件的宽长比W/LD:增大电阻上的电压答案减小NMOS器件的漏极电流;增大NMOS器件的宽长比W/L;,则电路的小信号电压增益,说明使用电流源作负载可提高增益。:..A:B:()A:二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信号增益是两管的过驱动电压之比,增益AV越大,最大输出电压Voutmax越小B:所谓二极管连接的MOS管实际上是将MOS器件的栅极和源极短接,起到小信号电阻的作用C:将MOS管作二极管连接并导通时,不论是NMOS还是PMOS管,均工作在饱和区D:二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信号增益只与W/L有关,与偏置电流无关,即输入与输出呈线性答案::..PMOS管作负载的共源极电路的小信号增益是两管的过驱动电压之比,增益AV越大,最大输出电压Voutmax越小;将MOS管作二极管连接并导通时,不论是NMOS还是PMOS管,均工作在饱和区;二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信号增益只与W/L有关,与偏置电流无关,()A:源极跟随器一般只用来驱动小电容(或高阻)负载,不宜用来驱动低阻、大电容负载B:源极跟随器可用来构成电平位移电路C:相对于共源级电路来说,源极跟随器增益很大,输出阻抗很高D:源极跟随器的答案源极跟随器一般只用来驱动小电容(或高阻)负载,不宜用来驱动低阻、大电容负载;源极跟随器可用来构成电平位移电路;:..()A:常同共源级联合构成共源共栅放大器,用于高速运放的差分输入放大级B:其增益与共源级放大电路增益相同C:输入阻抗与有关,有阻抗变换特性D:输出阻抗高,可用于提高增益和构成高性能恒流源答案常同共源级联合构成共源共栅放大器,用于高速运放的差分输入放大级;输入阻抗与有关,有阻抗变换特性;输出阻抗高,(a)(b)(c)三个电路,若电路中ID相等,输出阻抗最大的是():..A:(a)B:图(c)C:图(b)D:三个电路的输出阻抗相同答案图(c)()A:共源共栅电流源可近似代替理想恒流源B:共源共栅结构具有高输出摆幅C:共源共栅结构具有高输出阻抗特性:..D:答案共源共栅电流源可近似代替理想恒流源;共源共栅结构具有高输出阻抗特性;:差动电路增大了输出电压摆幅B:差动模式使电路的偏置电路更简单,输出线性度更高C:差动电路相对于单端电路,其芯片面积和功耗有所增加D:差动电路能有效抑制共模噪声答案:差动电路增大了输出电压摆幅;:..;差动电路相对于单端电路,其芯片面积和功耗有所增加;,下列说法正确的是A:输入共模电平越小,输出摆幅越大,利于实现高增益B:输入共模电平越大,允许输出的输出摆幅就越小。C:输入共模电平越大,利于实现高增益D:输入共模电平越大,允许输出的输出摆幅就越大。答案输入共模电平越小,输出摆幅越大,利于实现高增益;输入共模电平越大,允许输出的输出摆幅就越小。,不放大共模部分:..B:,输出端的电压范围为()A:B:C:D:答案::..A:当足够负时,导通B:当时,小信号增益(即斜率)最大,线性度最好C:当足够负时,截止D:当时,,电路处于平衡状态答案当时,小信号增益(即斜率)最大,线性度最好;当足够负时,截止;当时,,电路处于平衡状态:..:B:C:D:():..A:Vin1和Vin2的差模分量是正负B:差分放大电路对任意输入信号的响应包含差模响应和共模响应两部分C:任意输入信号Vin1和Vin2的共模分量是二者的平均值D:如果输入信号和Vin1和Vin2不是大小相等,方向相反,那么Vin1和Vin2就是非全差分信号。答案任意输入信号Vin1和Vin2的差模分量是正负;差分放大电路对任意输入信号的响应包含差模响应和共模响应两部分;任意输入信号Vin1和Vin2的共模分量是二者的平均值;如果输入信号和Vin1和Vin2不是大小相等,方向相反,那么Vin1和Vin2就是非全差分信号。,因此必然会出现共模响应A:错B:对答案:对:..,因而抑制共模噪声能力减弱。A:错B:()A:差分放大电路只放大输入信号的差模部分,不放大共模部分B:Gilbert单元是增益可变的放大器C:VGA是一种可变增益放大器D:共源共栅差分放大器的增益更大,但输出共模电平难以确定答案:差分放大电路只放大输入信号的差模部分,():..A:B:提高了电流复制精度C:牺牲了电压余度D:共源共栅级屏蔽了输出电压变化的影响答案提高了电路的输出阻抗;提高了电流复制精度;牺牲了电压余度;。A:错B:对答案:。:..A:B:,说法正确的有()A:有管时,B:有管时,C:有管时的电流复制精度比没有管时的电流复制精度高。D:没有管时,答案:有管时,;:..管时,;有管时的电流复制精度比没有管时的电流复制精度高。;没有管时,,的最大值为()A:B:C::..D:,且时,所有器件都饱和,那么=()A:::D:答案::..7.()输出信号,完成了“双端—单端”变换。A:差分B:双端C:差动D:单端答案单端:..A:错B:。A:错B:对答案:,不能提高电流复制精度。A:错B:对答案:(s)的所有零点都位于左半平面时,系统是稳定的A:对B:错答案:,可能漏掉电路中的零点。:..A:B:,所以适用密勒定理。A:错B:对答案:()CS放大器的带宽A:增大B:减小答案:,因此在放大器频率特性中可以忽略。A:对B:错答案:()Zout:..A:1B:2C:,则为()平面零点A:左半B:右半答案:,不会产生密勒效应。A:对B:错答案:,线性电路的增益、输入阻抗、噪声等指标不会随频率发生变化。A:对B:错答案:错:..:1/(RC)B:1/(sRC)。A:对B:错答案:,故反馈电路带宽增加的同时,其增益必减小。A:错B:对答案:,分别为电压放大器,跨阻放大器,跨导放大器和电流放大器。:..A:B:()类型放大器。A:跨阻放大器B:电压放大器答案:,可以通过()的方法实现。A:串联电流表B:在相应接口并联电压表答案:在相应接口并联电压表6.()方法能够使两个电流信号相加。:..A:B:-电压反馈后,电路的输出阻抗变为没有反馈时的()倍。A:B:答案:-电压反馈机制的电路中,其输入阻抗改变为无反馈情况下的倍。A:错B:对答案:对:..9.-电流反馈机制能够使电路的输入阻抗减小为无反馈时的()。A:B:-电流反馈可使电路的输入阻抗改变为引进反馈机制之前的倍。A:错B:对答案:,设计额定增益为10,即,要求增益误差为5%,确定A1的最小值为():..A:10B:1000C:10000D:,若Vin是小的阶跃电压,计算当输出电压处于其最终值的1%范围内所需的时间约为时间常数的多少倍?:..A:5B:::,若,且输出达到终值的1%所需的稳定时间小于5ns,运放必须提供的单位增益带宽约为多少?:..A:::12Grad/sD:5Grad/()?:..A:B:C:D:()?A:B::..C:D:()A:B:C::..D:,假设所有晶体管的相等,则电路的输出摆幅为()A:B:C:D::..,则如图所示单端输出的共源共栅电路的输出摆幅为()A:B:C:D:答案::..,第二级运放用于提高摆幅。A:对B:、确定各支路的直流电流、确定各晶体管宽长比、确认各晶体管的尺寸、确定各偏置电压。A:对B:错答案:对

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  • 时间2024-04-14