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第七章半导体存储器和可编程逻辑器件.ppt

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文档列表 文档介绍

第七章半导体存储器和可编程逻辑器件
§ RAM
§ ROM
§ 引言
§ PLD/CPLD/FPGA
分类
掩模ROM
可编程ROM
可擦除的可编程PROM
静态RAM(SRAM)
动态RAM(DRAM)
2、从制造工艺分:
①双极型②MOS型
随机读/写
(Random-Access-Memory)
:
只读存储器(Read-Only-Memory)
引言
第一节随机读写存贮器 RAM
RAM:能够在存贮器中任意指定的地方随机写入或读出信息的存贮器。
类型:
结构字结构
位结构
原理动态RAM:功耗小,具有再生刷新功能
静态RAM: 功耗大
器件类型双极型RAM:速度快
MOS型RAM:功耗小,集成度高
目前大容量的RAM都采用MOS型存贮器
RAM的优点:读写方便,使用灵
缺点:断电后信息丢失,是易失性存贮器
RAM位结构
基本结构
以16字×1位的位结构形式的存储器为例
位结构(双译码)存贮器RAM
每次只对一个存贮单元进行读或写操作
有x译码和y译码构成
特点:
字结构(单译码)存贮器RAM
以16×4的字结构RAM为例

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