Cd 1 1- -x x Zn x x e Te 薄膜 光电性能初探.pdf

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学号 091578


毕业设计(论文)




Cd1-xZnxTe 薄膜光电性能初探







院(系、部): 材料科学与工程学院
姓名: 杨阳
班级: 材 091
专业: 材料科学与工程
指导教师: 曾冬梅
教师职称: 讲师


2013 年 6 月 9 日·北京
北京石油化工学院
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院系名称: 材料科学与工程学院
作者签名: 杨阳
学号: 5120091578

2013 年 6 月 13 日
摘要
摘要
碲锌镉(Cd1-xZnxTe)是一种新兴的性能优异的半导体材料,具有优良的电学
性质和光敏特性。它可以被看作两种二元材料 ZnTe 和 CdTe 的固溶体,具有电
阻率高、禁带能宽大、吸收系数高,禁带宽度与太阳光谱匹配等优点。可以广泛
用于天文、医学和太阳能等诸多领域
本文利用磁控溅射法制备 CdZnTe 多晶薄膜,利用紫外可见分光光度计对薄
膜光学性能进行探究,利用 Keithley 半导体性能测试系统对薄膜电学性能进行探
究,对进一步了解 CdZnTe 多晶薄膜的光电性能有着重要意义。揭示了铝溅射功
率、CdZnTe 晶体靶溅射功率和退火时间对薄膜光电性能的影响规律。研究结果
表明,铝溅射功率、CdZnTe 晶体靶功率和退火时间与 CdZnTe 薄膜透过率、吸
收系数关系并不明显。随着铝溅射功率、CdZnTe 晶体靶溅射功率、退火时间的
增大,薄膜的电阻率增大,薄膜结晶质量也就越好,薄膜的致密度增大。

关键词:CdZnTe 薄膜,光电性能,溅射功率,电阻率




















I
摘要
Abstract
CdZnTe is a new kind of semiconductor material with excellent photoelectric
properties, it has excellent electrical properties and photosensitivity. It can be
considered two kinds of binary materials, a solid solution of ZnS and CdTe , it has
many advantages like high resistivity, wide band gap energy, high absorption
coefficient, band gap matching the solar spectrum. CdZnTe can be widely used in
astronomy, medicine, solar energy and many other fields.
We prepared polycrystalline CdZnTe films by RF ron sputtering method.
The influences of optical properties of the CdZnTe films have been studied by
ultraviolet spectrophotometer. The influences of electrical properties of the CdZnTe
films have been studied by Keithley 4200-scs. It is of great significance to learn more
about CdZnTe polycrystalline thin film on photovoltaic performance. The results
sho