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第3章场效应管及其放大电路ppt课件.ppt


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文档列表 文档介绍
《模拟(mónǐ)电子技术》
主讲:王彦
武汉铁路(tiělù)职业技术学院
二00七年四月
第一页,共55页。
第3章 场效应管放大(fàngdà)电路
本章主要内容:
绝缘栅场效应管
结型场效应管
场效应管的比较(bǐjiào)
场效应管的主要参数及使用注意事项
场效应管放大电路
本章小结
第二页,共55页。
绝缘(juéyuán)栅场效应管
场效应管的分类(fēn lèi):
第三页,共55页。
绝缘(juéyuán)栅场效应管
N沟道(ɡōu dào)增强型MOS管
N沟道(ɡōu dào)耗尽型MOS管
第四页,共55页。
N沟道(ɡōu dào)增强型MOS管
一、结构(jiégòu)及符号
N沟道(ɡōu dào)增强型MOS管的结构示意图
第五页,共55页。
N沟道(ɡōu dào)增强型MOS管
增强型MOS管的电路(diànlù)符号
第六页,共55页。
N沟道(ɡōu dào)增强型MOS管
二、工作(gōngzuò)原理
N沟道增强型MOS管的基本(jīběn)工作原理
第七页,共55页。
N沟道(ɡōu dào)增强型MOS管
由上图可以得出结论:
(1)UGS对沟道(ɡōu dào)的影响
UGS=0时,导电沟道(ɡōu dào)不存在, ID=0 ;
UGS< UT时,导电沟道(ɡōu dào)不存在, ID=0;
UGS≥ UT时,导电沟道(ɡōu dào)存在, ID≠0;
第八页,共55页。
N沟道(ɡōu dào)增强型MOS管
(2)ID与UGS、UDS之间的关系
在满足UGS≥UT,且UGS为某一固定值的条件下:
当UDS较小(UGS-UDS>UT)时,沟道存在,ID随UDS线性变化(biànhuà)。
当UDS较大(UGS-UDS≤UT)时,沟道预夹断,ID几乎不随UDS变化(biànhuà)。
第九页,共55页。
N沟道(ɡōu dào)增强型MOS管
三、特性曲线
(1)转移特性曲线
所谓转移特性曲线,就是(jiùshì)输入电压uGS对输出电流iD的控制特性曲线。
第十页,共55页。

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  • 时间2021-10-21
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