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10-电容器陶瓷
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1，电介质陶瓷的一般性能
电介质陶瓷在静电场或交变电场中使用，它的一般特性是电绝缘性、极化、介电损耗及介电强度。
（1作用，对于高功率陶瓷电容器能提高电功功率。
(4)比体积电阻要求高于1010Ω·m，这样可保证在高温下工作不至于失效。
(5)介电强度高。陶瓷电容器在高压和高功率条件下，往往由于击穿而不能工作，所以提高其耐压性能，对充分发挥陶瓷的功能有重要作用。
3，电容器陶瓷的分类
（1）根据陶瓷电容器所采用陶瓷材料的特点，陶瓷电容器可分为以下四类：温度补偿型（Ⅰ型）、温度稳定型（Ⅱ型）、高介电常数型（Ⅲ型）和半导体系型（Ⅳ型）。其特征如下表所示：
类型
特 征
Ⅰ型
介电常数的温度系数α在+104/℃到-×10-3/℃之间随意获得，具有高的Q值，绝缘电阻高，使用于高频
Ⅱ型
介电常数的温度系数接近于零，具有高的Q值，使用于高频，可用于制造微波滤波器，也称微波电介质陶瓷
Ⅲ型
介电常数高（达1000～3000，甚至更大），可以获得大的容量，绝缘电阻高，Q值小，适用于低频
Ⅳ型
由于利用半导体化的高介电常数陶瓷的表面层或阻挡层，故可以比Ⅱ型更小型化
温度系数α为
Q=1/tgδ
Q值为介电损耗值的倒数
（2）根据制造陶瓷电容器的材料的性质，陶瓷电容器也可分为以下四类：第一类为非铁电电容器陶瓷，属于Ⅰ型或Ⅱ型；第二类为铁电电容器陶瓷，属于Ⅲ型，也称强介电常数电容器陶瓷；第三类为反铁电电容器陶瓷，属于Ⅲ型；第四类为半导体电容器陶瓷，属于Ⅳ型。在这里将按此分类分别加以介绍：
三，各类电容器陶瓷
1，非铁电电容器陶瓷
非铁电高介电容器陶瓷的品种繁多，按照材料介电系数的温度系数α的大小，可分为温度补偿电容器陶瓷及温度稳定电容器陶瓷两类：
（1）温度补偿电容器陶瓷（以金红石瓷和钛酸钙陶瓷为例）
高频温度补偿电容器陶瓷的介电系数在650以下，介电常数的温度系数较小，而且可以通过组成的调节，使介电常数的温度系数灵活的变化。Q值高，高频带仍能使用，且介电常数不随电压而变化。介电常数的温度系数为负值，可以用来补偿回路中电感的正温度系数，使回路的谐振频率保持稳定。一般温度补偿电容器陶瓷都具有一种特性，其具体为：随着ξ提高，其温度系数由正值变为负值，且其值逐渐变小，这种特性叫NPO特性。目前正在使用的，具有NPO特性且介电常数最高的材料是（钛酸钕）Nd2Ti2O7-BaTiO3-Bi2O3-TiO2-PbO系材料。
例1：金红石瓷（rutile ceramics）

金红石瓷是一种利用较早的高介电材料，其主晶相为金红石（TiO2），二氧化钛有三种结晶状态，即金红石、锐钛矿和板钛矿，以金红石的物理电气性能最好，结晶状态比较稳定。金红石的物理性质如下：晶系：四方，外形：针形，比密度：，线膨胀系数(～)×10-6/℃，介电常数：114，熔点：1840℃。纯金红石瓷的电性能比普通金红石瓷的电性能更优良。但由于纯金红石的烧结温度高、无可塑性以及金红石结晶能力强，易形成粗晶结构等原因．常在配方中加入其他成份。但用***化法制取的二氧化钛，其晶粒是金红石且颗粒细小，因此烧结温度低(1100℃)，利用这种方法可制得纯金红石瓷。
①金红石瓷配方
目前，金红石瓷的配方很多，下给出几个典型配方。就配方中各种组成的作用或要求作简要说明
A, TiO2： 金红石瓷的主晶相化学组成是TiO2，其加入数量、形态、晶粒大小等均会影响瓷体的性能。TiO2中常含锐钛矿晶型的TiO2，因此需要在1100～l300℃预烧，以减少瓷体烧成时的晶型转变和收缩。TiO2的活性、晶粒大小及烧结温度与预烧温度有关。经预烧过的TiO2活性降低，因此工厂一般采用未预烧和预烧的TiO2以一定比例配合使用。
B, 高岭土、膨润土：TiO2没有可塑性，高岭土的加入一方面增加可塑性，另一方面降低烧结温度。当采用挤管或车坯等可塑法成型时，可塑性要求更高，需要部分膨润土代替部分高岭土，但一般应少于4％。
C，碱土金属化合物：由于引入部分高岭土、膨润土，带入碱金属离子，使电性能恶化，因此引入碱土金属离子，利用压抑效应提高电性能。另外，它们也可起降低烧结温度的作用。一般CaF2加入量＜2～3%，ZnO为1％左右。
D，ZrO2：金红石的高温结晶能力很强，烧结温度稍高或保温时间稍长，都易形成粗晶结构，使