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太阳电池硅单晶.docICS H 80 中华人民共和国国家标准 GB/T ×××× - ×××× 太阳电池用硅单晶 rystalline silicon for PV (讨论稿) ×××× - ×× - ×× 发布×××× - ×× - ×× 实施发布中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会 GB/T ×××× - ×××× II 前言本标准由中国有色金属工业协会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位: 有研半导体材料股份有限公司, 万向硅峰电子材料股份有限公司, 洛阳鸿泰电子材料有限公司。本标准主要起草人:孙燕卢立延、翟富义。 GB/T ×××× - ×××× 3 太阳电池用硅单晶 1 范围本标准规定了太阳电池用硅单晶的产品分类、必要的相关性术语、技术要求、试验方法,检测规则以及标志、包装、运输、贮存。本标准适用于直拉掺杂制备的太阳电池用硅单晶。 2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注明年代的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注明年代的引用文件,其最新版本适用于本标准。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1552 硅锗单晶电阻率测定直排四探针法 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 测定硅晶体中代位碳含量的红外吸收方法 GB/T 2828 逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查) GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法 GB/T 14143 300-900 μm 间隙氧含量红外吸收测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法 SEMI M6 太阳能光电池用硅片规范 SEMI MF1535 用微波反射光电导衰减法非接触测量硅片载流子复合寿命的测试方法 3 术语 GB/T 14264 规定的术语和定义适用于本标准。 4 产品分类 分类: 硅单晶按导电类型分为 N 型, P 型两种类型。 牌号硅单晶的牌号表示:按 GB/T14844 规定。 规格硅单晶按直径分为? 100 mm、? 125 mm、? 150 mm 、和? 200mm 或由供需双方商定规格。 5 技术要求 直径及其允许误差 硅单晶的直径及其允许偏差应符合表1 的规定。在表1 中未列出的直径及偏差由供需双方商定。 未滚圆硅单晶的直径和允许偏差由供需双方商定。表1 硅单晶的直径及其允许偏差单位为毫米 GB/T ×××× - ×××× 4 直拉硅单晶直径 100 125 150 200 允许偏差± ± ± ± 电阻率 直拉硅单晶的电阻率范围和径向电阻率变化应符合表 2 的规定。 径向电阻率变化如要求按照其它方案进行,由供需双方商定。表2 少数载流子寿命μ s P