第3章常用半导体元件及其特性研讨.ppt

***出版社张志良主编同名教材配套电子教案计算机电路基础第3章常用半导体元件及其特性第3章常用半导体元件及其特性? 二极管?半导体?半导体是导体和绝缘体之间的导电性能介于。平时半导体导电能力很低如果掺入微量的杂质导电性能就会发生明显变化,掺入杂质不同杂志半导体分为 N型半导体和 P型半导体。 PN结组成后半导体有了功能 PN结?N和P型半导体合在一起时两块半导体界面形成 PN结。?P型半导体中的空穴和 N型半导体中的电子互相扩散,复合形成薄层 PN结。?PN结外加电压时( 1)PN结加正向电压—导通如图 3-1 所示( 2)PN加反向电压时-不导通如图 3-1 所示(2) N 型半导体 4价元素掺入微量 5价元素后形成 N型半导体。自由电子数>> 空穴数。 4价元素掺入微量 3价元素后形成 P型半导体。空穴数>> 自由电子数。(3) P 型半导体⒈P型半导体和 N型半导体⑴本征半导体。纯净的半导体材料称为本征半导体。 PN结第3章常用半导体元件及其特性 二极管⒉ PN 结单向导电性⑴加正向电压——导通。⑵加反向电压——截止。 E P区N区耗尽层内电场外电场 U - + RI R E P区N区耗尽层内电场外电场 U +- I R a) b) 图 3-1 外加电压时的 PN 结 a) 正偏 b) 普通二极管半导体二极管 PN 结的两端上引线封装的构成, P区二极管正极 N区二极管负极 VD 二极管文字符号如图所示二极管类型分为普通二极管,整流管,开关管,稳压管 ( U-I,V-A) 二极管伏安特性常用曲线来描述如图所示 3-3 正向特性( 1)死区段 OA 导通段 AB 反向特性( 1)饱和段 OC (2)击穿段 CD U ON,反响饱和电流增大 。最大整流电流 I F最高反响工作电压U RM反向电流 I R和反响饱和电流 I S,最高工作频率 普通二极管 1. PN 结的伏安特性⑴正向特性①死区段; ②导通段⑵反向特性①饱和段; ②击穿段 2. 温度对伏安特性的影响①温度每升高 1℃ U on约减小 2~ 。②温度每升高 10℃反向电流约增大一倍。 稳压二极管稳压二极管时一种特殊的面接合型硅二极管 ,正极接外加电压的负段管子外于反向偏置状态,而端电压基本上不变,但电流很大范围内变化,这特性实现稳压。如图所示 Uz ,稳定电流 Iz,最大耗散功率 Pzm ,动态电阻 r z,电压温度系数 a 稳压二极管⒈伏安特性⒉稳压工作条件①电压极性反偏; ②有合适的工作电流。 双极型晶体管 晶体管概述⒈基本结构和符号 2. 电流分配关系: I E=I C+I B (1).三极管文字符号为 VT (2) B,C,E 基极,集电极,发射极(3) CB 集电结, EB 发射结,( 4)基区很薄,集电区浓度高,发射区面积达 ,集电结必须反偏如图 3-13 所示三个电机电流关系 I E =I C +I B =(1+ β)I B