合肥学院模拟电子第一次过程考核.doc

1、设题1图所示电路中的二极管性能均为理想,试求电路中的电压 ABU 。题1图 2 、试比较三种组态的放大电路,其中输入电阻较大的是________ 电路;输出电阻较小的是________ 电路;输出信号与输入信号同相位的是________ 电路;带负载能力强的是________ 电路;既有电流放大能力又有电压放大能力的是电路。 3、. 用示波器观察 NPN 管共射单级放大电路输出电压得到题 3. 图所示三种削波失真的波形, 请分别写出失真的类型: 图( a )为;图( b )为;图( c )为。 A .饱和失真; B .截止失真; C .交越失真; D. iu 过大出现双向失真。(a)(b)(c) 题3图 4、在双极型晶体管放大电路中,测得三只管子各电极电位如题 4图所示。试判断各晶体管的类型、材料和电极。( a)( b)( c) 题 4图 5、题5图示出了四个场效应管的转移特性,其中漏极电流的方向是它的实际方向。试判断它们各是什么类型的场效应管,并写出各曲线与坐标轴交点的名称及数值。(a)(b)(c)(d) 题5图 6、P 沟道增强型 MOS 管工作在恒流区的条件是。 A. GS T u U ?, DS GS T u u U ? ?;B. GS T u U ?, DS GS T u u U ? ?; C. GS T u U ?, DS GS T u u U ? ?;D. GS T u U ?, DS GS T u u U ? ?。 7、某场效应管的 DSS I 为 6mA ,而 DQI 自漏极流出,大小为 8mA ,则该管是。 沟道结型管;B. 增强型 PMOS 管;C. 耗尽型 PMOS 管; 沟道结型管;E. 增强型 NMOS 管;F. 耗尽型 NMOS 管。 8、增强型 PMOS 管工作在放大状态时,其栅源电压;耗尽型 PMOS 管工作在放大状态时,其栅源电压。 A .只能为正; B .只能为负; C .可正可负; D .任意。 9、固定偏置放大电路如题 9图(a )所示。晶体管的 BE U?, bb300 Ωr ??,且输出特性曲线及放大电路的交流、直流负载线如题 图(b) 所示。试求:(1)bR 、cR 、LR 各为多少?( 2 )不产生失真时最大输入电压的幅值为多少?( 3 )如继续加大输入信号的幅度, 会产生什么失真?应如何消除这种失真? (a)(b) 题9图 1、设题1图所示电路中的二极管性能均为理想,试求电路中的电压 ABU 。题1图解:(a)D 3V U ??,D 截止, AB 12V U ??。(b) D1 10V U?, D2 25V U?,D 2 优先导通, D 1 截止, 2、试比较三种组态的放大电路, 其中输入电阻较大的是___ 共集_____ 电路; 输出电阻较小的是_____ 共集___ 电路;输出信号与输入信号同相位的是___ 共集和共基_____ 电路;带负载能力强的是____ 共集____ 电路; 既有电流放大能力又有电压放大能力的是共射电路。 3、. 用示波器观察 NPN 管共射单级放大电路输出电压得到题 3. 图所示三种削波失真的波形,请分别写出失真的类型: 图( a )为;