四川师范大学毕业论文开题报告表.doc

- 1- 附表 2 四川师范大学工学院毕业论文开题报告学生姓名阿加阿木学生学号 2011180101 论文题目高效直流电能变换电路设计与控制 1 、选题背景(含国内外相关研究综述及评价)与意义。电力电子技术的核心是电力电子元器件技术。电力电子元器件的发展先后经历了整流器时代、逆变器时代和变频器时代,并促进了电力电子技术在许多新领域的应用。 20世纪 80年代末期和 90 年代初期发展起来的、以功率 MOSFET 和 IGBT 为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件,表明传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。今后,电力电子元器件技术将由半控型、全控型器件进入全新的智能型时代。其表现是,一方面原有各新型电力电子器件额定参数不断提高;另一方面电力电子技术与微电子技术进一步结合,使电力电子器件朝着大容量、智能化方向迅速发展。进入 20世纪 80年代,大规模和超大规模集成电路技术的迅猛发展,为现代电力电子技术的发展奠定了基础。将集成电路技术的精细加工技术和高压大电流技术有机结合, 出现了一批全新的全控型功率器件、首先是功率 M0SFET 的问世,导致了中小功率电源向高频化发展,而后绝缘门极双极晶体管(IGBT) 的出现,又为大中型功率电源向高频发展带来机遇。 MOSFET 和 IGBT 的相继问世,是传统的电力电子向现代电力电子转化的标志。至今,功率 MOSFET 和 GTR 在功率半导体器件市场上已达到平分秋色的地步,而用 IGBT 代替 GTR 在电力电子领域已成定论。电力电子技术的特征是高效和节能,而其主因是功率电子器件一般工作在较理想的开关状态。电力电子技术的不断突破和发展都是围绕着各种新型功率电子器件的诞生和完善进行的,一代电力电子器件带动一代电力电子技术应用。近年来,英飞凌(Infineon) 公司推出 OptiMOS FD 200 V和 250V 。最新一代的 Power 金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET) 专为本体二极体硬式整流最佳化所设计,不仅提高产品耐用度、降低电压尖波, 还能降低逆向回复电荷(Qrr) 损失, 进而提高系统可靠度。产品适用于电信系统、工业用电源供应器、 D 类音频放大器、 48-110V 马达控制系统及直流对交流(DC-AC) 变频器等硬式切换应用方面。随着 OptiMOS FD 系列推出,英飞凌将持续提升切换效能。新一代的 Power MOSFET 协助客户省下工程设计上的成本及时间, 尤其是硬式整流等应用方面。最新 OptiMOS FD 提升了硬式整流的耐用度,可用于更严格的需求, dV/dt 、 dl/dt 和电流密度都优于目前市场上的 200 伏特和 250 伏特技术,因此使用更方便,并可简化设计流程;同时,比起其他同类装置减少 45% 的导通电阻(RDS(on)) 和 65% 的优值系数(FOM) ,效率及功率密度皆获提升。当前节能减排引起了国际社会广泛的重视。京都议定书即将到期,国际社会正在努力,争取尽早达成新的减排协议。美国新政府一反上届政府的立场,积极斡旋于国际社会, 宣传美国限制排放新构思。美国新政府将可持续能源和 Smart Gird 作为本届政府的重要任务,也作为美国走出经济危机的法宝之一。中国作为发展最迅速的新经济体,在引起国际社会赞赏和关注的同时,面临减排的国际压力日