[工学]数点模电知识要点总结.doc

模拟电子技术知识要点第二章运算放大器△理想运算放大器的特点△△△虚断和虚短的概念及其应用△△△运算放大器同相输入放大电路与反相输入放大电路△运算放大器求差放大电路、求和电路△仪用放大器△运算放大器积分电路和微分电路第三章半导体的基本知识△半导体共价键结构△本征半导体△空穴与自由电子△ P型半导体与 N型半导体△ PN 结的形成△△△ PN 结的单向导电性△ PN 结的电容效应(扩散电容和势垒电容) △二极管的 V-I 特性(正向特性、反向特性和击穿特性) △△△简单含二极管电路分析方法(整流电路、限幅电路、开关电路、稳压电路) 第四章双极结型三极管及放大电路基础△ BJT 的结构及其特点△ BJT 的共射极连接时的 V-I 特性曲线(输入特性、输出特性) △△△ BJT 的三个工作区(放大区、饱和区和截止区)及其判断依据△温度对 BJT 参数的影响及其改善方法△△ BJT 静态工作点对波形的影响(饱和失真、截止失真)及其改善波形的方法△△△ BJT 的 H参数及简化的小信号模型△△△ BJT 电路( 共射极放大电路、共基放大电路、共集电极放大电路)直流静态工作点的计算△△△ BJT 电路( 共射极放大电路、共基放大电路、共集电极放大电路) 小信号微变等效电路方法及交流参数(电压放大倍数、输入电阻、输出电阻)的计算、以及它们各自的特点△△△共射极放大电路、共基放大电路和共集电极放大电路的组合电路分析计算(限两级放大电路) △多级放大器的连接对整个放大器的通频带的影响第五章场效应管放大电路△ FET 器件与 BJT 器件的区别△ FET 器件符号的识别△ FET 器件的三个工作区△△ FET 电路(共源极放大电路、共漏放大电路)直流静态工作点的计算△△△ FET 电路(共源极放大电路、共漏放大电路)小信号微变等效电路方法及交流参数(电压放大倍数、输入电阻、输出电阻)的计算、以及它们各自的特点△△△ FET 电路与 BJT 电路的组合电路的计算第六章模拟集成电路△镜像电流源△微电流源△△差模信号和共模信号、差模电压增益和共模电压增益△△△ BJT 差分式放大电路(四种接法)分析计算(包括静态工作点、差模电压增益、共模电压增益、输入电阻、输出电阻) △乘法器第七章反馈放大电路△△正反馈和负反馈的判断方法△△直流反馈与交流反馈△△△负反馈放大电路的四种组态(电压串联、电压并联、电流串联、电流并联)的判断△△负反馈对放大电路性能的影响△△△深度负反馈条件下放大电路的计算分析方法第八章功率放大电路△功率放大电路的特点及其主要研究的问题△甲乙类和乙类功率放大电路的识别△△甲乙类、乙类双(单)电源互补对称功率放大电路( OCL 、 OTL )的计算分析(如输出最大功率、最大管耗、效率、功率管极限参数) 第九章信号处理与信号产生电路△滤波电路的分类△△一阶、二阶有源滤波电路的分析方法(求传递函数、特征角频率、截止频率、通频带) △正弦波振荡电路的振荡条件(振幅平衡条件和相位平衡条件) △ RC 正弦波振荡电路的分析△ LC 正弦波振荡电路的分析△单门限电压比较器、迟滞比较器△方波产生电路△锯齿波产生电路第十章直流稳压电源△△直流稳压电路的几个组成部分△△△单相桥式整流电路的分析计算(输出电压、二极管参数和滤波电容参数选择) △△△串联反馈式稳压电路的原理、组成及其分析方法△△三端集成稳压器及其应用以上符号说明: △了解△△掌握△△△理解考试题型说明: . 半导体的基础知识 1. 半导体--- 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质( 如硅 Si 、锗 Ge) 。 2. 特性--- 光敏、热敏和掺杂特性。 3. 本征半导体---- 纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子---- 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5. 杂质半导体---- 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。*N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性* 载流子的浓度--- 多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。* 体电阻--- 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。* 转型--- 通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN 结* PN 结的接触电位差--- 硅材料约为 ~ ,锗材料约为 ~ 。* PN 结的单向导电性--- 正偏导通,反偏截止。 8. PN 结的伏安特性二. 半导体二极管* 单向导电性------ 正向导通,反向截止。* 二极管