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模拟电子技术-第六版-第7章-模拟集成电路.ppt


文档分类:高等教育 | 页数:约129页 举报非法文档有奖
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《《电子技术基础电子技术基础》》模拟部分模拟部分(第六版) (第六版) 江苏常熟理工学院罗韩君 2 电子技术基础模拟部分 1 绪论 2 运算放大器 3 二极管及其基本电路 4 场效应三极管及其放大电路 5 双极结型三极管及其放大电路 6 频率响应 7 模拟集成电路 8 反馈放大电路 9 功率放大电路 10 信号处理与信号产生电路 11 直流稳压电源 37 模拟集成电路 模拟集成电路中的直流偏置技术 差分式放大电路 差分式放大电路的传输特性* 带有源负载的差分放大电路 集成运算放大器 实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路的影响 变跨导式模拟乘法器 放大电路中的噪声与干扰 4 模拟集成电路中的直流偏置技术 FET 电流源电路 BJT 电流源电路 5 FET 电流源电路+V DDR I REF +- V DS1 -V SS T 1T 2+- V GS I D2=I O d 2+- V DS 2 NMOS d 1 g 1. MOSFET 镜像电流源 R VVVIII GS SS DD REF D2 O????? T 1、T 2的参数全同只要满足 V GS > V TN 必有 V DS1 > V GS-V TN T 1一定工作在饱和区又因为 V GS2 = V GS1 = V GS T 2漏极接负载构成回路后,只要满足 V DS2 > V GS-V TN,就一定工作在饱和区,且有 6 FET 电流源电路 1. MOSFET 镜像电流源 R VVVIII GS SS DD REF D2 O??????? 2 TN GS 1D REFVVKII n???再根据便可求出电流值 I O的电流值与 R d无关 R d 的值在一定范围内变化时(V DS2 > V GS-V TN ), I O 的电流值将保持不变,反映出 I O的恒流特性。 7 FET 电流源电路 1. MOSFET 镜像电流源当器件具有不同的宽长比时 1 2 D1 D2 REF O)/( )/(LW LW I II I??(?=0) 动态电阻(交流电阻) 2G12 DS 2D o)( SVir ????v D2 ds21I r???电流源是双口网络还是单口网络? 电流源是双口网络还是单口网络? 8 FET 电流源电路 2 TN GS n D2)(VVKI??用T 3代替 R,T 1 ~T 3特性相同 1. MOSFET 镜像电流源 T 1 ~T 3便可工作在饱和区 2 TN GS n REF D3 D1)(VVKIII????由于)(2 1 SS DD GS GS3VVVV???所以只要满足 TN SS DD2VVV??输出电流为 9 FET 电流源电路动态电阻更大,恒流特性更好 2. 串级镜像电流源 ds2 ds4 m ds4 m ds2 ds4 o)1(rrgrgrrr????需要注意, T 4漏极接负载构成回路后,需要满足 TN4 GS4 DS4VVV?? 10?? 44 4 2 = o gs o m gs ds gs o ds v v i g v r v i r ????? ??????管子参数完全对称时,等效电路: 22 4 4 = ds o o o m ds o ds ds r v i i g r i r r ? ??? 4 2 4 4 2 1 ooo ds ds m ds m ds ds vri r r g r g r r ?? ???

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  • 时间2017-04-24