半导体物理学题库资料.doc

一. 填空题 1. 能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________ ,引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_________ 的作用。(二阶导数,内部势场) 2. 半导体导带中的电子浓度取决于导带的_________ (即量子态按能量如何分布)和_________ (即电子在不同能量的量子态上如何分布)。(状态密度,费米分布函数) 3. 两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带________ 电, 达到热平衡后两者的费米能级________ 。(正,相等) 4. 半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央, 其导带极小值位于________ 方向上距布里渊区边界约 倍处,因此属于_________ 半导体。( [100] , 间接带隙) 5. 间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为_________ ;形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为________ 。(弗仑克耳缺陷,肖特基缺陷) 6. 在一定温度下,与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为_________ ,高于费米能级 2kT 能级处的占据概率为_________ 。( 1/2 , 1/1+exp(2) ) 7. 从能带角度来看,锗、硅属于_________ 半导体, 而***化稼属于_________ 半导体, 后者有利于光子的吸收和发射。(间接带隙,直接带隙) 8. 通常把服从_________ 的电子系统称为非简并性系统, 服从_________ 的电子系统称为简并性系统。(玻尔兹曼分布,费米分布) 9. 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与_________ 有关, 而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________ 的大小。(温度,禁带宽度) 10. 半导体的晶格结构式多种多样的, 常见的 Ge 和 Si 材料, 其原子均通过共价键四面体相互结合, 属于________ 结构;与 Ge 和 Si 晶格结构类似, 两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成_________ 和纤锌矿等两种晶格结构。(金刚石,闪锌矿) 11. 如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢 k 不发生变化, 则具有这种能带结构的半导体称为_________ 禁带半导体,否则称为_________ 禁带半导体。(直接,间接) 12. 半导体载流子在输运过程中,会受到各种散射机构的散射,主要散射机构有_________ 、_________ 、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。(电离杂质的散射,晶格振动的散射) 13. 半导体中的载流子复合可以有很多途径, 主要有两大类: _________ 的直接复合和通过禁带内的_________ 进行复合。(电子和空穴,复合中心) 14. 反向偏置 pn 结,当电压升高到某值时,反向电流急剧增加,这种现象称为 pn 结击穿, 主要的击穿机理有两种: _________ 击穿和_________ 击穿。( 雪崩,隧道) 15. _________ 杂质可显著改变载流子浓度; _________ 杂质可显著改变非平衡载流子的寿命,是有效的复合中心。(浅能级,深能级) 二. 选择题 1 .本征半导体是指?