Summary-磷扩散教程方案.pptx

?扩散前通氧的影响多晶硅太阳电池低温变温扩散工艺的优化_周艺. pdf ?低温扩散优于高温扩散的原因:磷吸杂效果好,进多晶硅太阳电池低温变温扩散工艺的优化_周艺. pdf 由氧化层厚度估算化学反应扩散掺杂量的研究. docx ? 4POCl 3 +3O 2 =2P 2O 5 +6Cl 2(1) ? 2P 2O 5 +5Si=5SiO 2 +4P ↓(2) ?干氧与硅也会直接发生反应生成 SiO2 薄膜,但干氧氧化速率相当低,在硅太阳电池的液态源磷扩散的条件下( 900 ℃, 10— 15min ),干氧与硅直接反应生成的 SiO2 薄膜在 10nm 左右,可以忽略不计,亦可做为修正因子, SiO2 薄膜主要是由反应式( 1)和( 2)生成的。?反应式( 2)的氧化机理是:高温下的 P 2O 5分子与硅片表面的 Si原子反应,生成 SiO 2起始层,此后,由于氧化层阻止了 P 2O 5分子与硅片表面的直接接触, P 2O 5分子只有以扩散方式通过 SiO 2层,到达 SiO 2 -Si界面,才能与 Si原子反应, 生成新的 SiO 2层和 P原子。?在 900 ℃时,磷在硅中的扩散系数约为其在二氧化硅中的 100 倍,而且磷在硅中的固溶度约为其在二氧化硅中的 10 倍,可以认为所生成的磷原子绝大多数扩入了硅片中。扩散装备发展现状及发展趋势_曹孙根. pdf 晶体硅太阳电池制作中的扩散工艺研究_何堂贵. caj 磷在 p型硅中扩散工艺研究_曹储辉. caj ?1、片内均匀性,随片间距增大而改善, ?2、磷扩散过程分为几个部分?3、减少干氧的量,方阻降低,且减少氧化膜也提高硅片扩散的片均匀性