模拟电子技术基础-知识点总结(同名7766).doc

模拟电子技术基础-知识点总结(同名7766)
模拟电子技术复****资料总结
第一章 半导体二极管

---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
---－ UCEQ ），放大器将有最大的不失真输出电压。
六. 放大电路的等效电路法
静态分析
（1）静态工作点的近似估算
（2）Q点在放大区的条件
欲使Q点不进入饱和区，应满足RB＞βRc 。
放大电路的动态分析
* 放大倍数

* 输入电阻
* 输出电阻
分压式稳定工作点共射
放大电路的等效电路法
1．静态分析
2．动态分析
*电压放大倍数
在Re两端并一电解电容Ce后
输入电阻
在Re两端并一电解电容Ce后
* 输出电阻
八. 共集电极基本放大电路
1．静态分析
2．动态分析
* 电压放大倍数
* 输入电阻
* 输出电阻
3. 电路特点
* 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。
* 输入电阻高，输出电阻低。


第三章 场效应管及其基本放大电路
一. 结型场效应管（ JFET ）

2. 输出特性曲线
（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）
转移特性曲线
UP ----- 截止电压
二. 绝缘栅型场效应管（MOSFET）
分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。
结构示意图和电路符号
2. 特性曲线
*N-EMOS的输出特性曲线
* N-EMOS的转移特性曲线
式中，IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。
* N-DMOS的输出特性曲线
注意：uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP，此曲线表示式与结型场效应管一致。
三. 场效应管的主要参数




(表明场效应管是电压控制器件)
四. 场效应管的小信号等效模型
E-MOS 的跨导gm ---
五. 共源极基本放大电路

* 静态分析
动态分析
若带有Cs，则


* 静态分析
* 动态分析

若源极带有Cs，则


* 静态分析
或
* 动态分析


第四章 多级放大电路
级间耦合方式
1. 阻容耦合----各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；体积小，成本低。但不便于集成，低频特性差。
2. 变压器耦合 ---各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。体积大，成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。
3. 直接耦合----低频特性好，便于集成。各级静态工作点不独立，互相有影响。存在“零点漂移”现象。
*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使uo偏离初始值“零点”而作随机变动。
二. 单级放大电路的频率响应
1．中频段(fL≤f≤fH)
波特图---幅频曲线是20lgAusm=常数，相频曲线是φ=-180o。
2．低频段(f ≤fL)
‘
3．高频段(f ≥fH)
4．完整的基本共射放大电路的频率特性
三. 分压式稳定工作点电路的频率响应
1．下限频率的估算

2．上限频率的估算
四. 多级放大电路的频率响应
1. 频响表达式
2. 波特图
第五章 功率放大电路
一. 功率放大电路的三种工作状态

导通角为360o，ICQ大，管耗大，效率低。

ICQ≈0， 导通角为180o，效率高，失真大。

导通角为180o~360o，效率较高，失真较大