第四章 双极型三极管.ppt

第四章 双极型三极管
第一页，共216页。
§ 双极型晶体管(BJT)
晶体管的结构及类型
B
E
C
N
N
P
基极
发射极
集电极
NPN型
且 iC =  iB
饱和区：发射结正偏，集电结正偏。
即：vCEvBE ， iB>iC，vCE
截止区： vBE< 死区电压， iB=0 ， iC=ICEO 0
其它状态
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例：测量三极管三个电极对地电位如图
试判断三极管的工作状态。
放大
截止
饱和
2V
T
8V
3V

( a )
T
12V
3V
( b )
T

3V

( c )
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晶体管的主要参数
①共发射极直流电流放大系数
1. 电流放大系数
②共基极直流电流放大系数
(1) 直流电流放大系数
显然， <1，~。
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工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为iB，相应的集电极电流变化为iC，则共发射极交流电流放大系数为：
(2)交流电流放大系数
①共发射极交流电流放大系数
②共基极交流电流放大系数
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例：VCE=6V时：IB = 40 A, IC = mA； IB = 60 A, IC = mA。
在以后的计算中，一般作近似处理： =
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(1)集电极-基极反向饱和电流ICBO
A
ICBO
ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。

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B
E
C
N
N
P
ICBO
ICEO=  ICBO+ICBO
IBE
 IBE
ICBO进入N区，形成IBE。
根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流IBE。
集电结反偏有ICBO
(2) 集电极-射极反向饱和电流ICEO
ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。
+
-
+
-
穿透电流
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(1)集电极最大允许电流ICM
集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。

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(2) 集电极最大允许耗散功耗PCM
集电极电流IC
流过三极管，
所发出的焦耳
热为：
PC =iCvCE
必定导致结温
上升，所以PC
有限制。
PCPCM
iC
vCE
iCvCE=PCM
ICM
V(BR)CEO
安全工作区
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③V(BR)CEO
指基极开路时，集电极—发射极间的反向击穿电压
(3) 反向击穿电压
①V(BR)EBO
指集电极开路时，发射极—基极间的反向击穿电压
②V(BR)CBO
指发射极开路时，集电极—基极间的反向击穿电压
普通晶体管该电压值比较小，只有几伏
当集---射极之间的电压VCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿
手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压V(BR)CEO
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温度对 BJT参数及特性的影响
BJT参数的影响
(1).温度对ICBO的影响
(2).温度对β的影响
(3).温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响
对温度非常敏感，温度每升高10℃，ICBO增加一倍
温度升高， β增加
温度升高， V(BR)CBO、V(BR)CEO增加
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(1)温度对输入特性的影响
iB
vBE
25ºC
50ºC
BJT特性曲线的影响
(2)温度对输出特性的影响
iC
vCE
温度升高，vBE减小
温度升高，ICBO、ICEO、 β增大
输出特性曲线上移
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半导体三极管的型号
国家标准对半导体三极管的命名如下:
3 D G 110 B
第二位：A锗PNP