第02章放大器的基本原理.ppt

第二章放大器的基本原理
第三节基本放大电路
第一节晶体二极管
第二节晶体三极管
第四节射极输出器
第五节场效应管及其
放大电路
第一节晶体二极管
第二节晶体三极管
第三节基本放大电路
第四节射极输出器
第五节场效应管及其放大电路
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第三节基本放大电路
第一节晶体二极管
第二节晶体三极管
第四节射极输出器
第五节场效应管及其
放大电路
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第一节晶体二极管
一、半导体的导电特性
三、晶体二极管及其特性
二、PN结及其单向导电性
四、特殊二极管
Ge
Si
本征半导体(intrinsic semiconductor)
现代电子学中,用的最多的半导体是硅和锗,它们的最外层电子(价电子)都是四个。
单晶硅(Si)和单晶锗(Ge)的原子结构:
一、半导体的导电特性
Ge
Si
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Ge
Si
第三节基本放大电路
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第二节晶体三极管
第四节射极输出器
第五节场效应管及其
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Si
载流子(carrier):
热运动产生
自由电子
空穴
常温下都可以定向运动形成电流。
本征半导体内的自由电子和空穴总是成对出现,两种载流子的浓度相同。
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2. 杂质半导体(extrinsic semiconductor)
掺入微量的5价元素
掺入微量的3价元素
N型半导体
P型半导体
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二、PN结的形成及其特性
扩散→复合→空间电荷区→内电场→阻止扩散
少子漂移
漂移=扩散→动态平衡→PN结形成
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第四节射极输出器
第五节场效应管及其
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加正向电压(正向偏置): E0与Ei 的方向相反
→空间电荷区变窄→扩散电流变大→PN结导通
加反向偏置:空间电荷区变宽→ PN结截止
PN结的单向导电性:
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内电场被削弱,多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流。
* PN 结正向偏置
* PN 结反向偏置
内电场被加强,多子的扩散受抑制。少子漂移加强,但少子数量有限,只能形成较小的反向电流。
PN结的单向导电性:
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三、晶体二极管及其特性
N区引出的电极是二极管的负极
晶体二极管
PN结两端引出电极
P区引出的电极是二极管的正极
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二极管的特性:
死区电压Uon :、。
正常工作管压降:、—。
二极管的伏安特性曲线
①二极管具有单向导电性;②二极管的伏安特性具有非线性;③二极管的伏安特性与温度有关。
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