《近现代物理实验》——光电材料和器件.doc

《光电材料和器件实验》教学大纲
课程编号:16211113
总学时数:34
总学分数:1
课程性质:选修
适用专业:应用物理
课程的任务和基本要求
、特性测试、制备方法和相关器件的应用制备。通过该课程教学,可培养学生独立思考、分析问题、解决问题的能力,同时培养促进知识创新和拓展的能力.
本课程教学要求:
预****这是实验前的课前准备阶段。根据实验目的,学****指导书中的实验原理和书本的有关内容,参考指导书中的实验方法,拟出实验方案,列出实验步骤,画好实验数据的记录表格。
实验:首先按照实验方案选取安装与调整仪器及部件,这是实验的关键。实验过程中必须认真观察现象,及时发现问题、解决问题。测试时记录原始数据,若有可疑之处,须反复调试,发现其规律。
撰写实验报告:撰写实验报告也是一种实验能力和科学总结能力的培养,其内容应包括:
实验题目和实验目的
实验原理:包括实验的理论根据,必要的公式及原理图
实验装置:包括实验装置布置,测试仪器和测试物
实验步骤:主要写出实验测试方法,调试过程和发现的现象。特别鼓励捕捉新的实验现象。
数据处理:包括实验数据分析、计算、列表
结论和讨论:总结实验已达到的目的,讨论测量误差,并分析观察到的实验现象,得出科学的结论
解答思考题:应从实验的观点来回答,不能单从理论上回答。
二、基本内容和要求:(详见附后表格)
三、教学时数分配:
做8个实验,每个实验4课时,合计32课时,机动或考核2学时。
四、有关说明
1、本大纲中所有实验中均含有综合性内容
2、教学和考核方式:平时操作加笔试
3、与其他课程和教学环节的联系
先修课程和教学环节:
近现代物理实验(基础部分),材料物理,半导体材料物理,薄膜生长,半导体器件物理,半导体制造技术
4、教材和主要参考书
(1)教材:自编
(2)主要参考书:
①《新型电子薄膜材料》陈光华编著化学工业出版社
②《信息材料》主编化学工业出版社
③《半导体器件物理与工艺》[美] 施敏著苏州大学出版社
④《薄膜生长》科学出版社
附表:
本课程实验项目表(从下表中选做8个)
序号
实验项目名称
时数
必修\选修
实验类型
每组人数
实验目的及要求
1
高温CVD法制备硅纳米线
4
选修
综合
4
理解并掌握化学气相沉积制备低维材料的原理和技术要点;
掌握本实验室CVD设备的构造,工作原理和操作流程;
掌握硅纳米线生长机理并学会用CVD方法制备该材料。
2
ZnO纳米线制备
4
选修
综合
4
掌握ZnO材料的结构,光学性能等特点;
;
学会热氧化炉使用方法并用来制备ZnO纳米线。
3
磁控溅射方法制备Cu薄膜
4
选修
综合
4
,制备导电材料和绝缘材料方法特点;
,工作原理和操作流程,熟练设备使用方法;
学会用磁控溅射设备制备导电材料Cu薄膜。
4
薄膜设计与制备
4
选修
综合
4
在掌握用磁控溅射设备制备材料基础上,对材料性能进行设计,按照自己的实验设计方案进行实验;
增强