材料线代分析分析技术.doc

:当χ射线经束缚力不大的电子或自由电子散射后,可以得到波长比入射χ射线长的χ射线,且波长随散射方向不同而改变,这种散射现象称为非相干散射。
:当阵点不是一个单原子,而是一个原子集团时,基元内原子散射波间相互干涉也可能会导致消光,此外布拉菲点阵通过套构后形成的复式点阵,出现了布拉菲点阵本身没有的消光规律,称这种复加的消光为结构消光。
:指确定材料有哪些相组成的分析过程。
:在连续谱的某些特定位置上出现一系列强度和高,波长很窄的线,称为特征X射线。或特征X射线是原子的内层电子受到激发以后,在能级跃迁过程中直接释放的具有特征能量和波长的一种电磁波辐射。
:光具组件中光学元件的边缘,框架或特别设置的带孔屏障成为光阑是为挡掉发散电子,保证电子束的相干性和电子束照射所选区域而设计的带孔小片。
:当有机化合物的结构发生变化时,其吸收带的最大吸收峰波长或位置(最大)向短波方向移动。
:指入射线光子与分子发生非弹性碰撞作用,在光子运动方向改变的同时有能量增加或损失的散射。
:当χ射线通过物质时,物质原子的电子在电磁场的作用下将产生受迫振动,受迫振动产生交变电磁场,其频率与入射线的频率相同,这种由于散射线与入射线的波长和频率一致,位相固定,在相同方向上各散射波符合相干条件。
:虚拟晶面(HKL)为干涉面,(HKL)为干涉面指数,简称干涉指数。
:差热曲线偏离基线的始点与返回基线的终点间的距离。
:指电子受固体物质作用后,物质院子的库仑场使其运动方向发生改变的现象。
:又称线分辨率,是让电子束作用标准样品后形成的透射束和衍射束同时进入透镜的成像系统,因而电子束存在相位差,造成干涉,在像平面上形成反映晶面间距大小和晶面方向的干涉条纹像,在保证条纹清晰的前提条件下,最小晶面间距即为电镜的晶格分辨率。
:入射电子作用样品后被反射回来的部分入射电子。
:在程序控温和一定气氛下,测量试样的物理性质虽温度或时间变化的一种技术。
:被击出去的电子或辐射均是入射X射线所为,故称被击出去的电子为光电子。
:当原子中K层的一个电子被打出后,它就处于K激发状态,其能量为Ek。如果一个L层电子来填充这个空位,K电离就变成了L电离,其能由Ek变成El,此时将释Ek-El的能量,可能产生荧光χ射线,也可能给予L层的电子,使其脱离原子产生二次电离。即K层的一个空位被L层的两个空位所替代的现象。
17. 宏观应力:在较大范围内存在并保持平衡着的应力,释放该应力时使物体的体积或形状发生变化的这类应力。
18. 弹性散射:电子能量不变的散射成为弹性散射。
19. 背散射电子:入射电子与固体作用后又离开固体的电子。
21. 热重分析:在程序温度下,测量物质的质量随温度变化的关系。
。
答:当外来电子动能足够大时,可将原子内层(K壳层)中某个电子击出去,于是在原来的位置出现空位,原子系统的能量因此而升高,处于激发态,为使系统能量趋于稳定,由外层电子向内层跃迁。由于外层电子能量高于内层电子能量,在跃迁过程中,其剩余能量就释放出