晶体硅组件认证测试失败机理探讨与.ppt

2017/8/20
Accelerated testing and international access, SNEC, Shanghai, China
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晶体硅组件认证测试失败机理探讨与分析
Angella Xu (须婷婷)
Email:******@tuv-
Phone: 186 1633 2955
Shanghai, May 21, 2012
TÜV NORD, making our world safer!
TÜV®
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目录 Contents

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的发展历史及TUV NORD主要业务介绍
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晶体硅组件的技术参数分析
一、安全性能(这是我们最关注的,最基本的性能。大家不难发现IEC61730-1部分的结构性要求均是针对组件的安全性能的,而整个-2部分的测试及评判标准均是安全性能)
性能
对应IEC61730测试项目
实际应用中的风险
可能的原因
备注
耐电压能力
MST 11 无障碍试验
MST 12 剪切试验
MST 13 接地连续性试验
MST 14 脉冲电压试验
MST 16 绝缘耐压试验
MST 17 湿漏电流试验
MST 42 引线端子强度试验






防火能力
MST 21 温度试验
MST 22 热斑试验
MST 23 防火试验
MST25 旁路二极管热试验
MST 26 反向过电流试验



、接线盒、背板等主要材料选择不合理
耐机械应力能力
MST 32 组件破损量试验
MST 34 机械载荷试验
、雪压等导致的破损



结构性实验
MST 15 局部放电试验
MST 33 导线管弯曲试验
MST 44 可敲落的孔口盖试验
线缆开裂,零部件掉落等
原材料选择及生产过程控制不足
晶体硅组件的技术参数分析
二、耐气候性能
性能
对应IEC61215测试项目
实际应用中的风险
可能的原因
备注
耐高温高湿能力
湿-热试验
在赤道等低纬度地区长期使用的风险
,剥离强度不足



耐高低温交变能力
湿-冻试验
热循环试验
在昼夜温差大的地区长期使用的风险
,剥离强度不足



耐紫外能力
紫外预处理试验
在高海拔地区长期使用的风险


抗撞击能力
冰雹试验
戈壁地区使用的风险及对外来撞击的耐受能力不足的风险

晶体硅组件的技术参数分析
三、电性能
性能
对应IEC61215测试项目
实际应用中的风险
可能的原因
备注
STC电性能
最大功率确定
,功率不足




实际发电能力
标准测试条件和标称工作温度下的性能
,功率不足




低辐照度下的发电能力
低辐照度下的性能
,功率不足

户外抗衰减能力
室外曝露试验
,功率不足


O含量或者金属等杂质偏高


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IEC61215及IEC61730测试失败机理探讨与分析
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IEC61215及IEC61730测试失败机理探讨与分析
Hot-Spot endurance test /热斑耐久测试
可能造成的缺陷
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IEC61215及IEC61730测试失败机理探讨与分析
Hot-Spot endura