第2章三极管及其放大电路课件.ppt

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晶体三极管、半导体三极管,晶体管或三极管
N
N
P
发射极E
基极B
集电极C
发射结
集电结
—基区
—发射区
—集电区
emitter
base
collector
NPN型
P
P
N
E
B
C
PNP型
E
C
B
E
C
B


符号:
内部
结构
发射区掺杂浓度高
基区薄且掺杂浓度低
集电结面积大
一、晶体极管内部载流子的运动
1)发射区向基区注入多子电子,
形成发射极电流IE。
ICN
多数向BC结方向扩散形成ICN。
IE
少数与空穴复合,形成IBN。
IBN
基区空
穴来源
基极电源提供(IB)
集电区少子漂移(ICBO)
ICBO
IB
即:
IB=IBN–ICBO
2)电子到达基区后,
(基区空穴运动因浓度低而忽略)
ICN
IE
IBN
ICBO
IB
3)集电区收集扩散过
来的载流子形成集
电极电流IC
IC
IC=ICN+ICBO
二、晶体管的电流分配关系
当管子制成后,发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定,故电流的比例关系确定,即:
IB=IBNICBO
IC=ICN+ICBO
穿透电流
()
三、晶体管的共射电流放大放大系数
ui
uo
C
E
B
共基极
()

一、输入特性曲线
输入
回路
输出
回路
与二极管特性相似
O
特性基本重合(电流分配关系确定)
特性右移(因集电结开始吸引电子)
导通电压UBE(on)
硅管:()V
锗管:()V



iC/mA
uCE/V
50µA
40µA
30µA
20µA
10µA
IB=0
O2468
4
3
2
1
:
放大区
截止区
条件:
发射结正偏
集电结反偏
特点:
水平、等距 离、与横轴平行
ICEO