第3章 场效应晶体管及其放大电路课件.ppt

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晶体管的主要特点
。
,输入电阻小。
,又称为双极型晶体管,简称BJT(BipolarJunctionTransistor)。

场效应管,简称FET(FieldEffectTransistor)。
(a)输入电阻高,可达107~1015W。
(b)起导电作用的是多数(一种)载流子,又称为单极
型晶体管。
(c)体积小、重量轻、耗电省、寿命长。
(d)噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺
简单。
(e)在大规模集成电路制造中得到了广泛的应用。
场效应管的主要特点
,简称JFET(JunctionFieldEffectTransistor)。
场效应管按结构可分为
场效应管的类型
,简称IGFET(IsolatedGateFieldEffectTransistor)。
N
P+
P+
形成SiO2保护层
以N型半导体作衬底
上下各引出一个电极
左右各引出一个电极
两边个引出一个电极
两边个引出一个电极
两边扩散两个高浓度的P型区
漏极d(drain)
源极s(source)
栅极g(gate)
N
P+
P+
N型导电沟道
符号
称为N沟道JFET
符号
P沟道JFET结构示意图
P
N+
N+
P型导电沟道
s
g
d
=0时,uGS对沟道的控制作用
=0时
N
P+
P+
N型导电沟道
s
d
=0
沟道无变化
g
(off)<uGS<0
N
P+
P+
N型导电沟道
s
d
=0
P+
–
+
(a)PN结加宽
(b)PN结主要向N区扩展
(c)导电沟道变窄
(c)导电沟道电阻增大
g
N
P+
P+
N型导电沟道
s
d
=0
P+
P+
(a)PN结合拢
(b)导电沟道夹断
>uGS=UGS(off)
UGS(off)——
栅源截止电压或夹断电压
–
+
g
=0时,uDS对沟道的控制作用
N
P+
P+
N型导电沟道
s
d
=0
–
+
g