模电课件 13第四章 场效应管.ppt

场效应管放大电路
三种组态
D
G
S
共源CS组态
S
G
D
共漏CD组态
G
S
D
共栅CG组态
2017/6/26
模电课件
(a) 自偏压共源放大电路
S
D
G
C1
RS
CS
Rs
RG
RD
ED
C2
RL
+
uo
-
+
uS
-
D
S
RS
CS
Rs
G
C1
R2
RD
ED
C2
RL
+
uo
-
+
uS
-
R1
R3
(b) 分压式自偏压共源放大电路
共源放大器
2017/6/26
模电课件

(a) 自偏压共源放大电路
S
D
G
C1
RS
CS
Rs
RG
RD
ED
C2
RL
+
uo
-
+
uS
-
S
D
G
RS
RG
RD
ED
+
US
-
ID
IG=0
IG
= - US = - IDRS
UGS=UG - US
URG=0即UG=0。
+
URG
-
UGS与UDS极性相反,(即UGS为负偏压),所以,自给偏压电路只适用于JFET和耗尽型MOSFET
UGS= - IDRS
自给偏压电路不适用于增强MOS型管
漏源电压为
UDS=ED-ID(RD+RS)
US =IS RS ↑→
UGS = -IS RS ↓
→ID ↓
T↑→ ID ↑→
RS稳定工作点
RS↑→稳定↑
uGS
iD
2017/6/26
模电课件
(2)分压式自偏压电路
D
S
RS
CS
Rs
G
C1
R2
RD
ED
C2
RL
+
uo
-
+
uS
-
R1
R3
RS↑→稳定性↑
RS↑→ ID ↓
UGS=UG - US
ED
D
S
RS
G
R2
RD
R1
R3
UG
+
URS
-
gm↓→ Au ↓
适用于JFET和耗尽型MOSFET,又适合于增强型MOSFET
UDS=ED-ID(RD+RS)
ID
IG
2017/6/26
模电课件
,R1=2MΩ,R2=47kΩ,R3=10 MΩ,RD=30kΩ,RS=2 kΩ,ED=18V,FET的UGS(off)= -1V,IDSS=,试确定Q点。
ED
D
S
RS
G
R2
RD
R1
R3
UG
ID
UDS=ED-ID(RD+RS)
解出ID1=
ID2= mA
> IDSS=
不合理舍去
故ID=
=
2017/6/26
模电课件
作业:P166

UDS=UDD-ID RS
2017/6/26
模电课件

(1)FET的小信号模型
G
D
G
S
D
S
rds
gmugs
S
+
uds
-
+
ugs
-
FET低频小信号线性模型
ig
id
2017/6/26
模电课件
2017/6/26
模电课件
当FET工作在高频段时,
D
G
S
D
S
rds
gmugs
S
+
uds
-
+
ugs
-
Cgd
Cgs
Cds
Cgd
G
Cgs
Cds
FET高频小信号线性模型
2017/6/26
模电课件
RL
+
uo
-
(2)CS放大电路的动态分析
D
S
RS
CS
Rs
G
C1
R2
RD
ED
C2
RL
+
uo
-
+
uS
-
R1
R3
G
D
rds
gmugs
S
S
+
ugs
-
ig
id
R1
R2
R3
Rs
+
uS
-
RD
ii
io
+
ui
-
2017/6/26
模电课件