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90nmCMOS器件中氧化硅与氮化硅边墙工艺研究的中期报告.docx
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研究报告
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90nmCMOS器件中氧化硅与氮化硅边墙工艺研究的中期报告.docx
该【90nmCMOS器件中氧化硅与氮化硅边墙工艺研究的中期报告 】是由【niuww】上传分享,文档一共【1】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【90nmCMOS器件中氧化硅与氮化硅边墙工艺研究的中期报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。90nmCMOS器件中氧化硅与氮化硅边墙工艺研究的中期报告本研究旨在探索氧化硅(SiO2)与氮化硅(SiNX)边墙工艺在90nmCMOS器件中的应用,研究重点为该工艺对MOSFET的电性能影响及其晶体管参数的提高效果。在前期研究中,我们对SiO2与SiNX边墙工艺进行了比较,发现相比于SiO2边墙,SiNX边墙具有更好的能量障碍透过性和更低的固态界面反应速率。因此,在本次中期报告中,我们进一步探索了SiNX边墙的MOSFET电性能表现和参数提高效果。我们设计了三组对比实验,分别为:1)使用传统SiO2隔离物工艺的MOSFET;2)在传统SiO2隔离物工艺的基础上,使用SiO2边墙工艺的MOSFET;3)在传统SiO2隔离物工艺的基础上,使用SiNX边墙工艺的MOSFET。实验结果表明,在相同的工艺条件下,SiNX边墙MOSFET相比于传统SiO2隔离物工艺和SiO2边墙MOSFET具有更好的电性能表现,包括更低的漏电、更小的漏电流漂移和更小的次阈值电压偏移。此外,使用SiNX边墙工艺的MOSFET晶体管参数也有显著的提高,其中包括较小的漏电流、较大的传输系数和较高的曲线斜率。总体来说,SiNX边墙工艺在90nmCMOS器件中的应用具有良好的潜力和发展前景,可以有效提高MOSFET的电性能表现和晶体管参数。未来研究将重点关注进一步优化SiNX边墙工艺的参数和优化其在不同器件结构和应用场景中的性能表现。
90nmCMOS器件中氧化硅与氮化硅边墙工艺研究的中期报告 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.
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