下载此文档

GaN基双发光峰LED发光机理研究的中期报告.docx


文档分类:研究报告 | 页数:约1页 举报非法文档有奖
1/1
下载提示
  • 1.该资料是网友上传的,本站提供全文预览,预览什么样,下载就什么样。
  • 2.下载该文档所得收入归上传者、原创者。
  • 3.下载的文档,不会出现我们的网址水印。
1/1 下载此文档
文档列表 文档介绍
该【GaN基双发光峰LED发光机理研究的中期报告 】是由【niuww】上传分享,文档一共【1】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【GaN基双发光峰LED发光机理研究的中期报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。GaN基双发光峰LED发光机理研究的中期报告本研究旨在探索GaN基双发光峰LED的发光机理。通过对样品的制备、结构特性的分析以及光电流谱测量,得到了以下初步结果::采用金属有机气相沉积法在SiC衬底上生长GaN薄膜,制备出GaN基双发光峰LED样品。:通过扫描电镜和透射电镜观察样品表面形貌和结构,发现样品表面平整,GaN薄膜晶体质量较好。:通过测量器件的光电流谱,发现样品在两个波长范围内均有较强的发光峰,分别为392nm和465nm。其中392nm对应的发光峰是由n型GaN导带上的自由电子复合h型空穴产生的,465nm对应的发光峰是由p型GaN价带上的电子复合n型GaN导带上的空穴产生的。基于以上初步结果,我们认为GaN基双发光峰LED的发光机理是由n型GaN和p型GaN之间的电子-空穴复合共同引起的,这种复合现象导致了两个不同波长范围内的发光峰的产生。今后我们将进一步研究该发光机理,并尝试优化样品结构和电学性能,以提高器件的光电转换效率。

GaN基双发光峰LED发光机理研究的中期报告 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.

相关文档 更多>>
非法内容举报中心
文档信息
  • 页数1
  • 收藏数0 收藏
  • 顶次数0
  • 上传人niuww
  • 文件大小10 KB
  • 时间2024-03-27