下载此文档

GaN的制备与GaN基肖特基器件的中期报告.docx


文档分类:研究报告 | 页数:约2页 举报非法文档有奖
1/2
下载提示
  • 1.该资料是网友上传的,本站提供全文预览,预览什么样,下载就什么样。
  • 2.下载该文档所得收入归上传者、原创者。
  • 3.下载的文档,不会出现我们的网址水印。
1/2 下载此文档
文档列表 文档介绍
该【GaN的制备与GaN基肖特基器件的中期报告 】是由【niuww】上传分享,文档一共【2】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【GaN的制备与GaN基肖特基器件的中期报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。GaN的制备与GaN基肖特基器件的中期报告本文将对GaN的制备以及GaN基肖特基器件的中期报告进行介绍。,具有高的电子迁移率、高的热稳定性、高的能隙以及优良的光学性能等特点。目前,GaN的制备主要有以下几个方法:(1)化学气相沉积法(CVD)CVD是一种常用的制备GaN的方法,通过将氨气和三***镓或三***铝在高温下反应,从而制备出GaN薄膜。该方法可以在不同的基片上制备出GaN薄膜,如蓝宝石、石英和Si等。(2)分子束外延法(MBE)MBE是一种将纯净金属材料以分子形式加热并蒸发的方法,通过高真空条件下的高温电子炉、磁控溅射等方法将原材料制备成单晶GaN薄膜。该方法制备的GaN薄膜具有较高的质量,适合用于制备高性能的电子器件。(3)水热法水热法是一种简单易行的制备GaN纳米晶的方法,适用于制备量较小的纳米晶。通过将氨水和MgO等原料在高温和高压下反应,可以制备出具有优异光学和电学性能的GaN纳米晶。,其应用范围涵盖了高功率电子器件、高速电子器件和光电器件等领域。在GaN基肖特基器件的研究中,主要存在以下几个问题:(1)制备技术不成熟目前,制备GaN的技术尚不成熟,制备出来的GaN薄膜杂质多、缺陷多,导致GaN基肖特基器件的性能受限。(2)绝缘层的质量问题GaN基肖特基器件的性能与绝缘层质量密切相关。当前使用的绝缘层材料主要是氮化硅(SiN),但其性能存在一定的问题,如介质常数较高、介电损耗大等,必须进行优化。(3)金属电极与GaN界面问题GaN基肖特基器件的金属电极与GaN接触处的界面问题是制约器件性能的重要因素之一。界面的电特性以及金属与GaN接触的性质都需要进一步研究和优化。综上所述,当前GaN的制备技术仍需进一步发展,同时GaN基肖特基器件的研究也面临着一些挑战。随着技术的不断进步和发展,相信GaN基肖特基器件的性能会得到显著提升,并将得到广泛应用。

GaN的制备与GaN基肖特基器件的中期报告 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.

相关文档 更多>>
非法内容举报中心
文档信息
  • 页数2
  • 收藏数0 收藏
  • 顶次数0
  • 上传人niuww
  • 文件大小10 KB
  • 时间2024-03-27
最近更新