下载此文档

MOVPE法生长碲镉汞薄膜材料技术研究的中期报告.docx


文档分类:汽车/机械/制造 | 页数:约1页 举报非法文档有奖
1/1
下载提示
  • 1.该资料是网友上传的,本站提供全文预览,预览什么样,下载就什么样。
  • 2.下载该文档所得收入归上传者、原创者。
  • 3.下载的文档,不会出现我们的网址水印。
1/1 下载此文档
文档列表 文档介绍
该【MOVPE法生长碲镉汞薄膜材料技术研究的中期报告 】是由【niuww】上传分享,文档一共【1】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【MOVPE法生长碲镉汞薄膜材料技术研究的中期报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。MOVPE法生长碲镉***薄膜材料技术研究的中期报告碲镉***(HgCdTe)是一种重要的红外材料,具有非常广阔的应用前景。其中,薄膜结构的HgCdTe材料是具有优异性能的重要材料之一。本研究采用金属有机气相沉积(MOVPE)法生长HgCdTe薄膜材料,并对其生长过程及其材料性能进行了研究。一、生长HgCdTe薄膜材料的实验条件本研究采用水银(Hg)、镉(Cd)和碲(Te)的金属有机气相沉积(MOVPE)法生长HgCdTe薄膜材料。实验采用石墨炉进行加热,并使用氢气(H2)作为载气气流。实验中,Hg使用TMGH,Cd使用TMCD,Te使用DMTT作为前驱体化学品。实验的温度范围为300℃~360℃,m。二、HgCdTe薄膜的结构与性能分析该实验所生长的HgCdTe薄膜具有非常良好的晶体结构,其X射线衍射图像中可以清晰地看到合金的晶格衍射峰。此外,该薄膜的红外光谱图像显示出它具有非常优良的吸收边缘,表明该HgCdTe薄膜具有非常良好的光电转换性能。通过扫描电镜(SEM)观察HgCdTe薄膜的表面形貌,可以发现它具有非常光滑、均匀的表面形貌,这对于光电器件的制备是非常有利的。此外,该实验合成的薄膜的电学性质也非常优异,×10^3S/×10^16cm^-3。三、总结本研究采用金属有机气相沉积(MOVPE)法成功合成了高品质的HgCdTe薄膜材料,并对其进行了详细的结构性能分析。实验结果表明,该方法能够制备出具有良好光电性能的HgCdTe薄膜,并具有非常广阔的应用前景。

MOVPE法生长碲镉汞薄膜材料技术研究的中期报告 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.

相关文档 更多>>
非法内容举报中心
文档信息
  • 页数1
  • 收藏数0 收藏
  • 顶次数0
  • 上传人niuww
  • 文件大小10 KB
  • 时间2024-03-27