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该【P型GaN基材料的电学性能及其欧姆接触的研究的中期报告 】是由【niuwk】上传分享，文档一共【1】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【P型GaN基材料的电学性能及其欧姆接触的研究的中期报告 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。P型GaN基材料的电学性能及其欧姆接触的研究的中期报告本中期报告主要围绕P型GaN基材料的电学性能及其欧姆接触进行了研究。以下是对研究成果的简要总结:(MBE)技术制备了P型GaN基材料。通过调节衬底温度、镓、镉和镓流量比等参数,成功生长出了具有P型导电性的GaN材料。,研究了P型GaN基材料的电学性能。实验结果表明,制备的GaN材料具有较低的电阻率和较高的霍尔迁移率,符合P型半导体的特征。,并研究了不同金属电极对P型GaN基材料的欧姆接触性能影响。实验结果发现,采用Ti/Al/Ni/Au电极结构可以得到优良的欧姆接触。(PL)测试了制备的P型GaN材料的光学性能。实验结果表明,该材料具有较高的发光强度和窄的发光峰宽,适合用于制备电致发光器件。综上所述,我们通过制备P型GaN基材料并研究其电学性能和欧姆接触等方面的特性,为后续的GaN材料应用研究奠定了基础。
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