IC工原理习题.pdf

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】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。:..。:同质结外延,异质结外延正外延,反外延SOS,SOI结构软误差,。,讨论解决办法。,讨论解决办法。,如何提高外延层质量。,比较两种硅气相外延的特点。,说明生长厚度为x的氧化层,计算要消耗厚度为___0x的硅层,,,硅的原子量为28,氧的原子量为016。选择题A?t???=?1??1?,请化简,当氧化时间很2?A2/4B??t?????A2/4B短时,即,则X=_____0B2BA.(t??)(t??)C.(t??)(t??)AAA?t???=?1??1?,当氧化时间很短时,即02?A2/4B??t?????A2/4B,它属于(),制备相同厚度的氧化层,分别用干氧,湿氧和水汽氧化,哪个需要的时间最长?(),,,,():():..,,2,,2,4,,2,3,4,(),,,,、:-二氧化硅系统中存在______电荷、可动电荷、界面态电荷和氧化层陷阱电荷。,温度越高,氧化速率越_____(大/小)。,通过改变氧化剂分压可以改变氧化层生长速率,氧化剂分压越____(大/小),生长速率越慢。、去离子水和生产工具、操作者的汗液及呼出的气体等是氧化层中的__离子的来源。,光的波长为5400?,暗条纹数为6条,则氧化层厚度为________?.℃下,用干氧制备栅氧化膜,时间为30min,A=?m,B=×10-4?m2/min,?=,计算所生成的栅氧化层厚度_______?m.(保留两位有效数字)℃,要求氧化层厚度为500nm,试求湿氧(水温95℃)需要____min(只保留整数),已知A=?m,B=×10-2?m2/min,?=0。℃,要求氧化层厚度为500nm,试求干氧需要____min(只保留整数),已知干氧A=?m,B=×10-4?m2/min,?=。℃,要求氧化层厚度为500nm,试求水汽氧化需要____min(只保留整数),已知干氧A=?m,B=×10-4?m2/min,?=0。℃,先干氧10min,再湿氧40min(T=95℃),再干氧10min,求总的氧化层水厚度____?m。(答案保留两位有效数字)已知:干氧A=?m,B=×10-4?m2/min,?=。湿氧A=?m,B=×10-2?m2/min,?=0min。℃,淀积时间共11分钟;硼再分布温度为1180℃,3时间共40分钟。在扩散过程中,对硼起掩蔽作用所需最小SiO层厚度为()?。(只保留整数)2(预淀积扩散系数为10-17厘米2/秒,1180℃下,扩散系数为4×10-15厘米2/秒),基区硼扩散温度为1180℃,(硼的扩散系数为4×10-15厘米2/秒),时间为403分钟,发射区磷扩散温度为1050℃(硼的扩散系数为3×10-16厘米2/秒),时间为25分钟,因此,在基区硼扩散和发射区磷扩散过程中,对硼起掩蔽作用的最小SiO层厚2度为()?。(只保留整数),先在1000℃下湿氧(T=95℃)氧化60min,后来又在2水1200℃用湿氧(T=95℃)氧化60min,求出两次氧化后所生成的氧化层总厚度()?。(只保留水整数)。已知:1000℃湿氧A=?m,B=×10-2?m2/min。?=01200℃湿氧A=?m,B=×10-2?m2/min。?=?m厚的SiO层,现需要在1200℃?m厚的氧化层,问干氧氧化的时间是():干氧A=?m,B=×10-4?m2/min,?=。2/10:..():,,,,、()j??D???D??N?N(x,t)?2N(x,t)?N(x,t)?2N(x,t)C.??D?D?t?x2?t?()。()。()。,:(),运动结果使浓度分布趋于均匀。。,主要是那些半径较小的杂质原子。替位式扩散就是替位杂质和近邻晶格位置上的原子互换。()?(0,t)?NsB.?N(x,t)dx?(?,t)?(x,0)?0,x>(与主扩散相比),采用____扩散方式,在硅片表面扩散一层数量一定,按_____形式分布的杂质。()、恒定表面源、、有限表面源、、恒定表面源、、有限表面源、()、??/Xj,?就是扩散表面杂质的电阻率。。。()。。:..Qx2N(x,t)?exp(?),在扩散过程中Q为常量。?,当温度保持恒定,随着扩散时间的增加,杂质扩散深度增大,表面杂质浓度不断下降。:Xj?ADt,对于恒定表面源扩散,A=()?1(B)(lnS):Xj?ADt,NN1对于有限表面源扩散,A=()?1(B)(lnS)“1”表示预扩散有关参数,用脚码“2”表示主扩散有关参数,则当Dt>>Dt1122时,杂质分布为:()“1”表示预扩散有关参数,用脚码“2”表示主扩散有关参数,则当Dt<<Dt1122时,杂质分布为:():(对/错),它重复性好,均匀性好,适合大量、成批的连续生产____(对/错)。(高/低)(或离子)在半导体晶片中的扩散机构比较复杂,但主要可分为两种机构:_______式扩散和间隙式扩散。(或离子)在半导体晶片中的扩散机构比较复杂,但主要可分为两种机构:代位式扩散和_____式扩散。。。。。(x,t)?Ns?erfc(),其中Ns近似为扩散杂质在扩2Dt散温度下的固溶度,因此可以通过改变温度来达到控制硅片表面浓度Ns的目的。这种说法______(对/错)。、磨槽法、、____法、光干涉法。、磨槽法、______法。℃,淀积时间共11分钟;硼再分布温度为1180℃,34/10:..时间共40分钟。在扩散过程中,对硼起掩蔽作用所需最小SiO层厚度为()?。(只保留整数)2(预淀积扩散系数为10-17厘米2/秒,1180℃下,扩散系数为4×10-15厘米2/秒)℃下进行基区氧化,氧化过程为:15min干氧+45min湿氧(T=95℃)+15min干氧,求所生成的SiO层厚度()?。(只保留整数)(已知:干氧H2O2A=?m,B=×10-4?m2/min,?=。湿氧A=?m,B=×10-2?m2/min.)℃下进行基区氧化,氧化过程为:15min干氧+45min湿氧(T=95℃)+15min干氧,求所生成的SiO层厚度()?。(只保留整H2O2数)(已知:干氧A=?m,B=×10-4?m2/min,?=。湿氧A=?m,B=×10-2?m2/min.),先在1000℃下湿氧(T=95℃)氧化60min,后来又在2水1200℃用湿氧(T=95℃)氧化60min,求出两次氧化后所生成的氧化层总厚度()?。(只保留水整数)。已知:1000℃湿氧A=?m,B=×10-2?m2/min。?=0,1200℃湿氧A=?m,B=×10-2?m2/min。?=0,?m厚的SiO层,现需要在1200℃?m厚的氧化层,问干氧氧化的时间是():干氧A=?m,B=×10-4?m2/min,?=。-Si衬底N=1015cm-3,在1150℃作硼再分布扩散后测得Xj=,N=2×BS1019cm-3,D=6×10-13cm2/s由N/N求得A=,求扩散时间t=_____min.(只保留整数部分)-Si衬底N=1015cm-3,硼预扩散温度为1000℃,D=2×10-14cm2/s,时间为20min,Ns=4B×1020cm-3,由N/N求得A=,求通过单位表面积扩散到硅片内部得杂质总量Q=_____×SB1015cm-2.(答案保留三位有效数字)-Si衬底N=1015cm-3,硼预扩散温度为1000℃,D=2×10-14cm2/s,时间为20min,Ns=4B×1020cm-3,由N/N求得A=,求结深为_____μm(答案保留两位有效数字),扩散温度为1200℃,扩散时间为2小时,试求n+埋层的厚度为_____μm。已知Ns=×1019cm-3,N=2×1015cm-3,D=3×B10-13cm2/s,erfc-1(×10-5)=,扩散温度为1200℃,,试求n+埋层的平均杂质浓度______×1019cm-3。(答案保留三位有效数字)已知Ns=×1019cm-3,N=2×1015cm-3,D=3×10-13cm2/s,erfc-1(×10-5)=℃,衬底N=2×1015cm-3,要求预淀积后的方块电B阻为80Ω/□,试确定预淀积所需要的时间为_____min.(答案只保留整数)已知?=660(Ω·cm)-1,Ns=4×1020cm-3,erfc-1(×10-5)=,D=5×10-15cm2/=2×1016cm-3,晶体管基区硼预淀积的温度为B950℃,时间为10min,N=4×1020cm-3,D=5×10-15cm2/s,erfc-1(5×10-5)=,再分布的温度为S111180℃,D=1×10-12cm2/。(答案保留三位有效数字)=2×1016cm-3,晶体管基区硼预淀积的温度为B950℃,时间为10min,N=4×1020cm-3,D=5×10-15cm2/s,erfc-1(5×10-5)=,再分布的温度为S111180℃,D=1×10-12cm2/×1018cm-3。(保留三位有效数字)-Si衬底N=2×1015cm-3,在1150℃作硼再分布扩散后测得Xj=,N=3×BS19-3-13210cm,D=6×10cm/s,求扩散时间t=_____min.(只保留整数部分),是因为().5/10:...,哪个要求温度低(),哪个掺杂纯度高(),哪个高浓度掺杂不受固溶度限制(),哪个掺杂均匀性好(),哪个可精确控制掺杂浓度,分布和注入深度(),哪个横向效应小(),哪个只用于浅结():(),,,,:(),,,3,,3,,主要影响有(),,,,,主要影响有(),,2,,3,,2,3,,消除沟道现象的措施有:注入角____(大于/小于)临界角(8度左右)。:_____碰撞和电子碰撞。:核碰撞和_____碰撞。,通过_____把能量传递给靶原子核及其电子,不断的损失能量,最后停止在靶内某一位置。·cm,现用硼离子注入法形成基区,其能量为60kev,若注入剂量为1×1015cm-2,试求注入的峰值浓度为_______×1019cm-3,已知Rp=,ΔRp=(答案保留两位有效数字)6/10:..·cm,现用硼离子注入法形成基区,其能量为40kev,若注入剂量为2×1015cm-2,试求注入的峰值浓度为_______×1020cm-3已知Rp=,ΔRp=(答案保留三位有效数字)·cm,现用硼离子注入法形成基区,其能量为80kev,×1015cm-2,试求注入的峰值浓度为_______×1019cm-3已知Rp=,ΔRp=(答案保留三位有效数字)·cm,现用硼离子注入法形成基区,其能量为80kev,×1015cm-2,试求结深为________×10-=,ΔRp=,N=1016cm-3(答案保留三位有效数字)·cm,现用硼离子注入法形成基区,其能量为40kev,若注入剂量为2×1015cm-2,试求结深为______×10-=,ΔRp=,N=1016cm-3(答案保留两位有效数字)·cm,现用硼离子注入法形成基区,其能量为60kev,若注入剂量为1×1015cm-2,试求结深为________×10-=,ΔRp=,N=1016cm-3(答案保留三位有效数字)·cm,现用硼离子注入法形成基区,其能量为60kev,若注入剂量为1×1015cm-2,试求注入离子的平均浓度为_____×1019cm-3已知Rp=,ΔRp=,N=1016cm-3(答案保留三位有效数字)·cm,现用硼离子注入法形成基区,其能量为40kev,若注入剂量为2×1015cm-2,试求注入离子的平均浓度为_____×1019cm-3已知Rp=,ΔRp=,N=1016cm-3(答案保留两位有效数字)·cm,现用硼离子注入法形成基区,其能量为80kev,×1015cm-2,试求注入离子的平均浓度为_____×1019cm-3已知Rp=,ΔRp=,N=1016cm-3(答案保留三位有效数字)B第五章CVD(化学气相淀积),22下面哪些说法是正确的:(),衬底硅不参加反应。,衬底硅参加反应。,温度高。,温度低。,,,,,22下面哪些说法是正确的:()。,也可以淀积在金属、陶22瓷、及其它半导体材料上。,衬底硅不参加反应。,温度低。,,,,2,,2,3,:,因此被用作()的掩蔽膜。:,所以常被用作():,所以被用作():()、、2、、3、、2、3、4、57/10:..:()+4NHSiN++4NHSiN+6HCl++4NHSiN++2NSiN+-650℃,采用热分解法,反应方程式为:()++++Cl+,P型常用(),哪个均匀性好(),哪个投片量大(),哪个成本低(),哪个温度低():()+NHSiNH++4NHSiN++2NSiN++N2SiNH+,,,许多参量都会影响其性质,如:(),,3,4C1,3,,2,3,,许多参量都会影响其性质,如:(),,3,4C1,2,3,,2,3,4,,由于h>>k,即质量转移系数远大于表面反应速率常数,所以,LPCVD系GS统中,淀积过程主要是质量转移控制_______(对/错),由于h>>k,即质量转移系数远大于表面反应速率常数,所以,LPCVD系GS统中,淀积过程主要是表面反应速率控制_______(对/错),其掺杂方法有三种:CVD法、_____法和离子注入法。,其掺杂方法有三种:CVD法、扩散法和________法。,如与不掺杂多晶硅相比,掺As约减少7倍,,掺B提高2倍,原因是这些杂质在表面的吸附,起着抑制或促进SiH分解反应的作4用。这句话_____(正确/错误)[Si(OCH),(TEOS)],热分解法,用O作稀释气22542体,并通入一定量的N,反应式为:2Si(OCH)+12O500℃SiO+10HO+8CO2542222这句话______(正确/错误)-850℃,温度偏高,不适用于多层布线的绝缘介质膜及金属4化后的表面钝化膜可用_________CVD淀积SiN作绝缘介质膜和钝化膜。4第六章光刻--,光刻过程中都包括如下步骤::()():..(),:():,它不仅与光刻胶本身有关,还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关():(),即要求光刻胶在常温和光(主要是紫外光)屏蔽的情况下,即使加入增感剂,光刻胶也不会发生暗发应。若进行烘烤干燥,加热到一定温度时,也要求光刻胶不发生交联。:、碱化学腐蚀液具有良好的():()。,针孔较多,,分辨率低。,涂胶应在超净台或在防尘操作箱内进行。:(),,通用的办法不包括(),先在硅片表面涂一层粘着剂,然后在涂一层胶。:()。。,没有感光的胶层不溶解留下了,这种胶为___(正/负)胶。,没有感光的胶层溶解,这种胶为___(正/负)胶。(高/低)的温度。(细/粗)线条。(细/粗)线条。9/10:..20