该【富硅氮化硅薄膜体系电致发光器件研究的综述报告 】是由【niuww】上传分享,文档一共【2】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【富硅氮化硅薄膜体系电致发光器件研究的综述报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。富硅氮化硅薄膜体系电致发光器件研究的综述报告富硅氮化硅(SiNx)薄膜体系电致发光器件是一种很有潜力的光电子器件,其主要优点包括低成本、可重复制造、低功耗、高发光效率、长寿命等。此外,SiNx薄膜还具有优异的机械性能和化学稳定性,在光电子领域有着广泛的应用前景。由于SiNx材料本身具有一定的带隙,因此,采用SiNx薄膜体系,可以制备出电致发光器件。通过在SiNx薄膜体系中掺入不同的杂质,如氧、氢、***等,可以改变材料的物理化学性质,从而调节器件的光电性能。此外,采用不同的制备工艺,如PECVD、ICP-PECVD等,也会影响SiNx薄膜体系的光电性能。在SiNx薄膜体系电致发光器件研究中,最常用的发光机制是载流子复合发光机制。载流子在SiNx薄膜体系中受到电场的作用,移动并被聚集在电极附近,随后在载流子的复合过程中释放能量,产生光学辐射。因此,器件的结构设计和电场分布都会影响载流子的聚集和光电性能。在SiNx薄膜体系电致发光器件研究中,研究者采用不同的制备工艺和制备条件,可以得到不同的SiNx薄膜体系结构和性质。其中,SiNx薄膜的氮含量、Si和N之间的键能和杂质掺杂等因素,直接影响器件的光学性能。一些研究表明,适当的氮含量可以提高SiNx薄膜体系的光学性能,如提高发光效率和增强发光强度等。此外,利用含氢或含***的前驱体,在材料中加入大量氢和***原子,可以对SiNx薄膜体系的材料结构进行改变,从而改善SiNx薄膜体系的光学性能。同时,制备条件的控制也十分重要,如沉积速率、射频功率、反应压强等,都会影响SiNx薄膜体系的结构和性能。总的来说,SiNx薄膜体系电致发光器件具有广泛的应用前景。目前的研究主要集中在器件结构、发光机制、材料性能、制备工艺等方面。未来,重点将放在提高器件性能、加强材料的质量控制、优化器件结构和制备工艺等方面。只有在上述方面取得重大突破,才能更好地推动SiNx薄膜体系电致发光器件应用的发展。
富硅氮化硅薄膜体系电致发光器件研究的综述报告 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.