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《模拟电子技术》第2章3场效应管放大器与单管放大总结.pptx
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通信/电子
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《模拟电子技术》第2章3场效应管放大器与单管放大总结.pptx
该【《模拟电子技术》第2章3场效应管放大器与单管放大总结 】是由【小屁孩】上传分享,文档一共【77】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【《模拟电子技术》第2章3场效应管放大器与单管放大总结 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。第二章3场效应管放大电路单管放大器总结单管放大器总结2021/10/101场效应管的分类(P49)按工艺结构分两类:结型和绝缘栅型(MOS)按沟道材料分两类:N沟道和P沟道按导电方式分两类:耗尽型与增强型。共有6类:结型管只有耗尽型:结型耗尽型N沟道结型耗尽型P沟道绝缘栅型(MOS)既有耗尽型,又有增强型:N沟道耗尽型N沟道增强型;P沟道耗尽型P沟道增强型123456增强型:UG=0,ID=0(类电子管)均为耗尽型耗尽型:UG=0,ID≠0(类PN结)类PN结2021/10/102场效应三极管型号命名方法(两种)第一种命名方法(与双极型三极管相同):第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料,D是P型硅N沟道;C是N型硅P沟道。 例如,3DJ6D是结型P沟道场效应三极管,3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。第二种命名方法(CS××#):CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等2021/10/103场效应管的参数1、IDSS—饱和漏源电流:栅极电压UGS=0时的漏源电流(结型或耗尽型绝缘栅场效应管)2、UP—夹断电压:漏-源间刚截止时的栅极电压(结型或耗尽型绝缘栅场效应管)3、UT—开启电压:漏源间刚导通时的栅极电压(增强型绝缘栅场效管)4、gM—跨导:栅源电压UGS对漏极电流ID的控制能力(即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值)。是衡量场效应管放大能力的重要参数。5、BUDS—漏源击穿电压(极限参数):栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏-源电压。(重要极限参数:场效应管的工作电压必须小于BUDS!)6、PDSM—最大耗散功率(极限参数):令场效应管性能正常所允许的最大漏-源耗散功率。(场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量!)7、IDSM—最大漏源电流(极限参数):场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流(场效应管的工作电流不允许超过IDSM)。2021/10/104场效应管放大电路2021/10/工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性耗尽型栅极可反偏(可正偏)均有ID:UG=0,ID≠0漏极加正电压漏极加负电压类NPN管类PNP管增强型栅极须正偏反偏无ID:UG=0,ID=02021/10/1016二、场效应管静态工作点的设置方法场效应管工作在恒流区在栅g-源s间加栅偏压VGS在漏d-源s间加正电压VDS栅极输入的信号电压ui将会被放大gm倍(跨导)-s电压控制d-s的等效电阻即饱和区输出特性预夹断轨迹,uGD=UGS(off)可变电阻区恒流区iD几乎仅决定于uGS即放大区击穿区夹断区(截止区)夹断电压IDSSΔiD不同型号的管子UGS(off)、IDSS将不同。跨导(放大倍数):跨导乃电阻的倒数,单位:毫安/伏(mA/V)(又称:毫西(mS),表示相同的量纲)2021/10/1019MOS管的特性1)增强型MOS管2)耗尽型MOS管开启电压夹断电压2021/10/1020MOS管的特性2)耗尽型MOS管夹断电压QQiDUGSUDS2021/10/1021
《模拟电子技术》第2章3场效应管放大器与单管放大总结 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.
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