横向变厚度SOI LDMOS的结构和工艺设计技术研究的综述报告.docx

该【横向变厚度SOI LDMOS的结构和工艺设计技术研究的综述报告 】是由【niuww】上传分享，文档一共【2】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【横向变厚度SOI LDMOS的结构和工艺设计技术研究的综述报告 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。横向变厚度SOILDMOS的结构和工艺设计技术研究的综述报告横向变厚度SOILDMOS(LateralDouble-diffusedMOS),是指在一块SiO2绝缘层(SOI)上,通过双扩散工艺制造的MOSFET器件,具有高电压、低漏电流及较小残余电荷的特点,被广泛应用于高端电子设备领域。本文将从结构设计、工艺制备和性能优化等方面进行详细介绍。:N+源极、P阳极和N+扩散区。其中,N+源极通过扩散工艺形成,P阳极在P型硅层中预先摆放掺杂器,N+扩散区在P型硅层上扩散掺杂形成。为了实现更高的漏电流和较小的残余电荷,横向变厚度SOILDMOS在P型硅层中设置了两个埋置P型区:P1和P2。P1区位于N+源极周围,可以有效地降低导通后的电阻;P2区位于P阳极靠近N+扩散区的位置,可以限制晶体管底部的比例效应,并进一步降低漏电流。此外,为了进一步提高器件的性能,横向变厚度SOILDMOS的阳极可以设置为单极、双极或多极结构,以满足不同的应用需求。:(1)硅片制备:选择高纯度硅片,进行晶体生长、晶圆切割和抛光等加工过程,获得所需的SOI硅片。(2)光刻和掩膜制备:将掺杂剂通过光刻和反型掩膜技术形成掺杂层和掩膜层。(3)扩散制备:将硼或磷掺杂剂通过扩散工艺在SOI硅片上形成N+源极、P阳极和N+扩散区。(4)沉积金属制备:通过物理气相沉积和化学气相沉积等技术,将Ti、Al、Cu等金属沉积在硅片上,形成电极和金属线。(5)后续工艺:包括退火、制作电阻、测试和封装等步骤。,可以采用以下措施:(1)优化掺杂剂类型和浓度:通过优化掺杂剂的类型和浓度,可实现较小的漏电流和较高的耐压性能。(2)改进P型硅层的质量:通过优化P型硅层的质量,可以降低比例效应和漏电流,提高电阻和尺寸效应。(3)优化金属线路和连接技术:通过使用更优质的金属材料和连接技术,可以降低接触电阻和电容,提高电流密度。(4)采用新的封装技术:采用新的封装技术可以提高器件的散热性能,降低热阻,延长器件的使用寿命。、低漏电流和小残余电荷的MOSFET器件。其结构设计、工艺制备和性能优化都具有一定的工程实践意义。未来,横向变厚度SOILDMOS将在众多高端电子领域中得到更广泛的应用。