频率合成器的制作方法.docx

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所提供的偏移频率foffset添加到所述信号。在利用第二低通滤波器56滤波之后,获得所产生的频率f2=f1-foffset。当相位环路被锁定时,频率f2是零并且VCO输出等于fVCO=N·(fr+foffset).MEMS基准振荡器51的频率随温度是不稳定的,但是其随温度而变的频率偏移可以通过调节foffset来补偿。根据所测量的MEMS基准的温度T和MEMS基准51的T相关性f(T),逻辑电路60和查找表59用来控制偏移振荡器58。偏移振荡器可以是具有宽调谐范围的VCO或MEMS振荡器(例如挠性振荡器)。依照本发明另一实施例,以两个模式同时激励硅谐振器,每个模式具有不同的温度系数。在图3中示出了用于示出这两类模式的有用谐振器结构的例子。图3a图示了板中的扩展模式振动(在f0=,Q=120000)并且图3b是Lamé模式振动(在f0=,Q=60000)。扩展振动模式被表征为保留原始方形的2-D板扩展(plateexpansion)。Lamé模式被表征为保留板体积的板弯曲(platebending)。所述组件可以通过绝缘体上硅结构