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模拟电子技术复****br/>第一章绪论
一、信号: 信息的载体
电信号源的电路表达形式
二、模拟信号和数字信号
模拟信号:在时间和幅值上都是连续的信号。
数字信号:在时间和幅值上都是离散的信号。
处理模拟信号的电子电路称为模拟电路。
三、放大电路模型
输出开路(RL= ∞)
时的电压增益
主要性能指标1、输入电阻2、输出电阻3、增益
频率响应
在输入正弦信号情况下,输出随输入信号频率连续变化的稳态响应,称为放大电路的频率响应。
频率失真(线性失真)
幅度失真:对不同频率的信号增益不同,产生的失真
相位失真:对不同频率的信号相移不同,产生的失真。
非线性失真
由元器件非线性特性引起的失真。
第二章二极管及其基本电路
半导体基本知识
本征半导体:纯净的、不含杂质的半导体
载流子:自由电子和空穴
本征激发、复合
室温附近,温度每升高8℃,硅的载流子浓度增加一倍。
掺杂半导体的导电特性
如在本征半导体中掺入微量的其他元素原子(杂质),得到杂质半导体。
N型半导体
掺入微量的5价元素(磷原子)
磷提供一个1个多余电子
被称为施主杂质
固定正电荷(掺杂)
电子为多数载流子
(掺杂+热激发)
空穴为少数载流子(热激发)
P型半导体
掺入微量的3价元素(硼原子)
硼提供一个1个空穴
被称为受主杂质
固定负电荷(掺杂)
空穴为多数载流子
(掺杂+热激发)
电子为少数载流子(热激发)
掺杂对半导体导电能力影响很大,%的杂质,载流子
浓度将增加10000倍。
PN结的形成
PN结的特性
平衡时的PN结
电子和空穴两种载流子
N指向P的内建电场
多子扩散形成正向电流
少子漂移形成反向电流
扩散和漂移电流处于动态平衡
通过其总电流为0
PN结为平衡结
PN结:单向导电性
外加正向电压:
PN结P端接电源正极,
N端接电源负极。
削弱内电场
耗尽层变窄
多子扩散运动加剧
正向电流为主
PN结外加正向电压时处于导通状态
外加反向电压:
PN结N端接电源正极,
P端接电源负极。
加强内电场
耗尽层变宽
多子扩散运动减弱
反向电流为主
少子为本征激发, 一定范围内不随外加反向电压变化, 称为反向饱和电流ISAT
PN结外加反向电压时处于截止状态
PN结的伏安特性
反向饱和电流
击穿电压
反向特性
反向击穿
PN结的三种工作状态
正向导通
反向截止
反向击穿
正向特性
:门限电压(开启电压)
二极管的伏安特性
实际二极管伏安特性和PN结伏安特性略有差别