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高速PCB设计指南之五.ppt

文档分类：汽车/机械/制造 | 页数：约64页举报非法文档有奖

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文档列表 文档介绍

第四讲半导体光电检测器件
第一节光敏电阻
第二节光电池
第三节光敏二极管
第一节光敏电阻
原理及结构
特性参数
特点
典型电路
一、原理及结构
1、原理:
光敏电阻阻值对光照特别敏感,是一种典型的利用光电导效应制成的光电探测器件。
对于本征型,可用来检测可见光和近红外辐射
对于非本征型可以检测波长很长的辐射
2、结构:
组成:它由一块涂在绝缘
基底上的光电导材料薄膜
和两端接有两个引线,封
装在带有窗口的金属或塑
料外壳内。电极和光电导
体之间呈欧姆接触。
三种形式
⑴梳状式
玻璃基底上蒸镀梳状金属膜而制成;或在玻璃基底上面蚀刻成互相交叉的梳状槽,在槽内填入黄金或石墨等导电物质,在表面再敷上一层光敏材料。如图所示。
绝缘基底
光电导体膜
⑵刻线式
在玻璃基片上镀制一层薄的金属箔,将其刻划成栅状槽,然后在槽内填入光敏电阻材料层后制成。其结构如下图所示。
注意:与梳状式的区别
⑶涂膜式
在玻璃基片上直接涂上光敏材料膜后而制成。其结构如右下图所示。
2、光敏电阻在电路中的符号
二、特性参数
1、光电流及增益
无光照时流过器件的电流称暗电流,由入射光引起的称光电流。
增益可理解为:样品中每产生一个光生载流子所构成的流入外电路的载流子数。

若G>1, 即单位时间流过器件的电荷数大于器件内光激发的电荷,从而使电流得到放大。
增益系数:光电流与入射光引起的单位时间电荷量的比值。

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