第2章逻辑门电路.ppt

第2章逻辑门电路
[主要内容及学****要求]
在上一章里,我们初步认识了与、或、非三种基本逻辑运算和与非、或非、异或等常用逻辑运算,在那里,这些运算关系都是用逻辑符号来表示的。而在工程中每一个逻辑符号都对应着一种电路,并通过集成工艺做成一种集成器件,称为集成逻辑门电路,逻辑符号仅是这些集成逻辑门电路的“黑匣子”。本章将逐步揭开这些“黑匣子”的奥秘,在介绍二极管和三极管开关特性的基础上,简要介绍分离元件与门、或门、非门以及由它们组成的与非门和或非门的逻辑功能;然后,重点讨论集成逻辑门电路的两种主要类型TTL和MOS门电路的工作原理、逻辑功能及外部特性,同时对内部结构也作简要介绍,最后还介绍了他们的正确使用方法。
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,掌握基本逻辑运算及基本的门电路(与、或、与非、或非、异或门等)的逻辑功能;
、特性参数和使用方法;
,并能够进行应用;
。
通过本章的学****应掌握以下几点:
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本章内容
基本逻辑门电路
TTL逻辑门电路
MOS门电路
本章小结
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半导体基础知识(1)
本征半导体:纯净的具有晶体结构的半导体。
常用:硅Si,锗Ge
两种载流子
半导体基础知识(2)
杂质半导体(磷、***、锑)
N型半导体
多子:自由电子
少子:空穴
半导体基础知识(2)
杂质半导体(硼、铝、铟等)
P型半导体
多子:空穴
少子:自由电子
半导体基础知识(3)
PN结的形成
空间电荷区(耗尽层)
扩散和漂移
半导体基础知识(4)
PN结的单向导电性
外加正向电压
半导体基础知识(4)
PN结的单向导电性
外加反向电压
半导体基础知识(5)
PN结的伏安特性
正向导通区
反向截止区
反向击穿区
K:波耳兹曼常数
T:热力学温度
q: 电子电荷