模拟电子技术试卷及答案.doc

《模拟电子技术》试卷
(每空1分,共30分)
,多子是自由电子,少子是空穴。
,即正导通,反向截止。
,集电结反向偏置。
,三极管一般工作在输出特性的放大区;在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区,此时也称它工作在开关状态。
,它属于线性失真。
, 乙类功率放大电路的效率最高。
,应引入 a (,)。
、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。
,其原理是构成电压串联负反馈。
。集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端,前者的极性与输出端同相;后者的极性同输出端反相。
,可分为 PMOS 和 NMOS 型。
二、单项选择题(每题2分,共20分,将答案填在下表中)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
C
D
A
B
,硅二极管的开启电压约______V,导通后在较大电流下的正向压降约______V;锗二极管的开启电压约______V,导通后在较大电流下的正向压降约______V。C
A) ,,, B) ,,,
C) ,,, D) ,,,
,依次属于哪种场效应管?正确的说法是( D )

A) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFET
B) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;结型N沟道耗尽型
C) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFET
D) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET; N沟道结型
,当β一定时,在一定范围内增大IE,电压放大倍数将( A)
A) 增加 B) 减小
C) 不变 D) 不能确定
,为提高抑制零点漂移的能力,试问采用下列( B )措施好。
A) 提高电源电压 B) 采用恒流源差分电路
C) 减小工作点电流 D) 加大RC
 窗体顶端
( A )原则分为甲类,甲乙类和乙类三种类型。
A) 按三极管的导通角不同 B) 按电路的最大输出功率不同
C) 按所用三极管的类型不同 D) 按放大电路的负载性质不同
,输入电阻Ri,输出电阻Ro分别为( C )
A) ¥,0,¥ B) 0,¥,¥ C) ¥,¥,0 D) 0,¥,0
( B )。
A) ; B)  ;
C) ; D) ;
( D )
A) 输入差模信号与共模信号之比的绝对值
B) 输入共模信号与差模信号之比的绝对值
C) 输出交流信号与输出直流信号之比的绝对