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无锡罗姆半导体科技有限公司.doc

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文档列表 文档介绍

绝对最大额定值(除非另有规定Tj=25℃)
参数名称和测试条件
符号
极限值
单位
存储温度
Tstg
-40to+150
℃
结温
Tj
150
℃
反向重复峰值电压
VRRM
200
V
正向不重复峰值电流(浪涌电流)
f=60Hz t=
IFSM
300
A
正向平均电流
IF(AV)(单芯)
30
A
正向平均电流
IF(AV)(双芯)
60
A
整流电流
IO(单芯)
30
A
雪崩能量
L=1mH
EAS(单管)
10
mJ
电特性(除非另有规定Tj=25℃)
参数名称
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
击穿电压
VBR
IR=100uA
200
-
-
V
反向恢复时间
Trr
VR=30V IF=1A dI/dt=100A/us
-
29
45
ns
热阻
Rθj-c
TO-3P
-
-

℃/W
总电容
Ctot
VR=0V f=1MHz
-
550
-
pF
正向压降(正向直流电压)
VF
IF=40A Tj=25℃
-

V
正向压降(正向直流电压)
VF
IF=30A Tj=25℃
-

V
正向压降(正向直流电压)
VF
IF=30A Tj=125℃
-
-

V
反向直流电流(反向漏电流)
IR(In)
VR=200V Tj=25℃
-

5
uA
反向直流电流(反向漏电流)
IR(In)
VR=200V Tj=125℃
-
-
2
mA
封装外形资料

曲线图
1:IF(AV) 2:Irr

3:VF 4:IR(In)

5:Ctot

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