下载此文档

潍坊市FDI研究.pdf

文档分类：研究报告 | 页数：约72页举报非法文档有奖

1/72

下载提示

1.该资料是网友上传的，本站提供全文预览，预览什么样，下载就什么样。
2.下载该文档所得收入归上传者、原创者。
3.下载的文档，不会出现我们的网址水印。

同意并开始全文预览

(约 1-6 秒)

1/72 下载此文档

文档列表 文档介绍

CMOS模拟集成电路设计
单级放大器
6/30/2017
1
提纲
1、共源级放大器
2、共漏级放大器(源跟随器)
3、共栅级放大器
4、共源共栅级放大器
6/30/2017
2
提纲
6/30/2017
3
1、共源级放大器
电阻做负载的共源级放大器
大信号分析
cutoff
active
triode
MOS管工作在饱和区时
6/30/2017
4
共源级放大器
小信号分析
考虑沟道长度调制时,
6/30/2017
5
共源级放大器
讨论
增益对信号电平的依赖关系导致了非线性
增大W/L、或增大VRD、或减小ID,都可以提高Av。
但是,
较大的器件尺寸,导致较大的器件电容。
较高的VRD会限制最大电压摆幅。
若VRD保持常数,减小ID,则必须增大RD,导致更大的输出节点时间常数。
6/30/2017
6
共源级放大器
MOS二极管连接做负载的共源级
MOS二极管连接
二极管连接的阻抗为
二极管连接的阻抗为
考虑体效应时
6/30/2017
7
共源级放大器
增益
NMOS二极管连接做负载
其中
没有体效应
PMOS二极管连接做负载
6/30/2017
8
共源级放大器
另一种二极管连接nmos管做负载的结构
优点?
缺点?
6/30/2017
9
另一种二极管连接nmos管做负载的结构
电流镜只采用nmos
没有体效应
增益精确
好的PSRR
两倍功耗
6/30/2017
10

潍坊市FDI研究来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.