北大微电子与电路基础总复习指南.ppt

复****br/>考试时间:
7月1日(周四)上午8:00-10:00
考试地点:
二教 105
微电子部分
考试题型
判断题(~15分)
简答题(~15分)
问答题(~25分)
请带尺子和橡皮
答疑时间
6月29日,30日晚上6:00-9:00
答疑地点
理科二号楼2718
绪论
集成电路、集成度的概念
集成电路设计和制造的基本过程
集成电路分类
双极和CMOS集成电路
通用和专用集成电路
IC, ASIC, Foundry, chip, die
微电子部分
半导体物理基础
半导体、N型半导体、P型半导体、本征半导体、非本征半导体
掺杂、施主杂质、受主杂质
载流子、电子、空穴、多子、少子、平衡载流子、非平衡载流子
能带、导带、价带、禁带、禁带宽度、费米能级
本征载流子浓度及影响因素、掺杂半导体中载流子浓度
载流子输运
漂移、扩散、复合
电导率、电阻率、迁移率、有效质量
PN结的结构、PN结的工作原理及基本特性
单向导电性、变容特性(势垒电容)、空间电荷区特征
金半接触(肖特基接触和欧姆接触)
双极晶体管的结构及电极连接方式、双极晶体管的电流输运机制及放大机理、输出特性曲线
MOS电容的结构、相应于栅压变化半导体表面状态的变化
MOS晶体管的结构、MOS晶体管的基本工作原理及工作区域、阈值电压、MOS晶体管的种类、转移特性和输出特性曲线
简单的CMOS逻辑门电路的结构(反相器、与非门、或非门)
半导体器件物理基础
集成电路制造工艺
从原始硅片到封装测试前的关键工艺的含义
薄膜制备:氧化、化学气相淀积CVD、物理气相淀积PVD
图形转换:光刻(基本步骤)、腐蚀/刻蚀
掺杂技术: 扩散、离子注入与退火
CMOS工艺集成
版图及版图设计规则的概念、器件及反相器的版图表述
集成电路设计及EDA系统
分层分级设计的基本概念
单元库的基本概念
综合、模拟(Simulation)的基本概念
集成电路的典型设计流程
全定制、定制(标准单元)、半定制(门阵列)、PLD/FPGA等主要设计方法的概念和特点
集成电路设计的EDA系统的主要作用
EDA、DRC、ERC、LVS的含义
SOC、IP核的基本概念
发展规律
摩尔定律的含义
发展规律与趋势