OLED光刻工艺
---------------------2008-5-27
目录
整体设备及流程
各个设备工艺点分别说明
光刻材料
光刻设备layout
流程
OLED工艺流程
光刻
前清洗
脱膜
蚀刻
烘烤
涂布
曝光
预烘
显影
蒸镀
封装
切割
烘烤
测试
玻璃流向
Clean Befor Coating
机台构造
Clean before coater
清洗能力:
1、刷洗:5um以上的无机物颗粒。
2:高压水洗:3-5um的颗粒
3、二流体-是将一种高压气态流体与一种液态流体混合后再通过一种特殊的喷嘴超音速喷嘴使高压气体与清洗液形成的液滴以超过声音在空气中的传播速度340 米/秒的速度喷出。颗粒在喷射时产生的冲击波作用、被清洗物体表面受到冲击时产生的振动作用、液滴沿被清洗物体表面高速喷射这三种作用的协同作用下而被去除。
m的微细颗粒的去除率达到80%以上的效果
Clean Befor Coating
IR/UV/CP
UV作用------分解玻璃表面的有机物,干燥
IR作用------加热,把前面清洗完留在玻璃表面上的水渍通过加热的方法去掉,保证下面工序的质量。
IR/UV/CP
IR
UV
CP
基板表面温度:120±10℃
低圧水銀Lamp CTU-160Z-22-C-BL
CP个数:2个
加热方式:红外加热 (上側 6孔下側 5孔)
14支灯管
基板表面温度:23±℃
最高加热温度:300℃
初期光积量:1000 mj/cm2
冷却方式:吸着方式
波长:254nm , 185nm
使用寿命:6000HRS
搬送速度:V=1200 mm/min
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