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硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation.ppt

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文档列表 文档介绍

离子注入(Ion Implantation)
离子注入掺杂的优、缺点
1
两种碰撞(阻止)模型
2
注入离子的分布(沟道效应)
3
注入损伤及其消除(热退火)
4
5
离子注入系统
天津工业大学
离子注入的优点:
掺杂纯度高,污染小;
掺杂的均匀性和重复性好;
工作温度低,工艺灵活性大;
掺杂深度和掺杂浓度可精确独立地控制;
最大掺杂浓度不受固溶度限制;
低温工艺避免高温引起的热缺陷;
离子注入直进性,横向效应小;
掩蔽膜作为保护膜,污染小;
适合化合物掺杂;
可发展成无掩膜的离子束技术。
天津工业大学
Self-alignment(自对准掺杂)
天津工业大学
离子注入的缺点:
入射离子对衬底有损伤;
很浅和很深的结难于制得;
高剂量注入产率受限制;
设备昂贵。
天津工业大学
§ 离子注入机理
核碰撞(核阻止)
和晶格原子的原子核发生碰撞
发生明显的散射
造成大量晶格损伤
Sn(E)=(dE/dx)n
电子碰撞(电子阻止)
和晶格原子的电子发生碰撞
注入离子的路径基本不发生变化
能量转移很小
造成的晶格损伤很小
Se(E)=(dE/dx)e
LSS理论:S=Sn+Se
天津工业大学
天津工业大学
常见杂质在硅中的平均射程
天津工业大学
沟道效应(Channeling Effect)
天津工业大学

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硅集成电路工艺离子注入IonImplantation(共35张PPT)

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