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3-3 缓变基区晶体管的电流放大系数.ppt

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缓变基区晶体管:基区掺杂近似为指数分布,少子在基区主要作漂移运动,又称为漂移晶体管
缓变基区晶体管的电流放大系数
本节以 NPN 管为例,结电压为 VBE 与 VBC 。
P
N+
N
0
xjc
xje
NE(x)
NB(x)
NC
x
0
xjc
xje
本节求基区输运系数的思路
进而求出基区渡越时间
将 E 代入少子电流密度方程,求出 JnE 、nB (x) 与 QB
令基区多子电流密度为零,解出基区内建电场 E
最后求出
基区杂质分布的不均匀会在基区中产生一个内建电场 E ,使少子在基区内以漂移运动为主,所以缓变基区晶体管又称为漂移晶体管。
基区内建电场的形成
NB(x)
NB(WB)
NB(0)
WB
0
x
在实际的缓变基区晶体管中, 的值为 4 ~ 8 。
设基区杂质浓度分布为
式中是表征基区内杂质变化程度的一个参数,
当时为均匀基区;
因为, ,所以内建电场对渡越基区的电子起加速作用,是加速场。
令基区多子电流为零,
解得内建电场为
小注入时,基区中总的多子浓度即为平衡多子浓度,
下面求基区少子分布 nB (x) 。
在前面的积分中将下限由 0 改为基区中任意位置 x ,得
由上式可解出 nB (x) 为
对于均匀基区,

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