半导体复习题.docx

一、填空
集成电路芯片制造的四大工艺指的是光刻、、和。
目前我国制备高纯多晶硅主要采用的是工艺。
常用的薄膜制备技术主要有和两种。
封装的功能主要有电源分配、信号分配、等五个方面。
传统装配的步骤有背面减薄、、和。
在常用的几种氧化方式中, 所得到的氧化膜效果最好,但与其他的氧化方式相比较具有的缺点。
热预算指的是工艺中硅暴露需要的, 是热处理工艺的目标。
关键的封装参数是、、。总的趋势是将与合并在一起。
光刻的本质是。通常用和来表示某集成电路制造工艺的难易程度。完整的光刻工艺应该包括和两个部分。
洁净室的工作状态可以分为、和三种,当FAB处于正常工作状态时应该属于其中的。
制造集成电路的半导体产业由材料供应、电路设计、、半导体工业设备、五大部分组成。
企业管理中的5S体系分别指的是清洁、、、和素养。
二、选择
半导体行业目前有三类企业,宏力/华力属于( )类企业。
A:集设计、制造、封装和市场销售为一体 C:都不属于
B:做设计和销售的公司 D:芯片生产工厂
SIP( )不是单一的芯片,是一个微系统的概念,一个封装内可以由模拟电路、光电、微机电、生物芯片等。
A:System in Package B:System in Process
C:Semiconductor in Package D:Semiconductor in Process
氧化设备的用途是( )。
A:热生长氧化物 B:离子注入后硅片表面的热退火
C:各种淀积膜 D:以上都有
在集成电路设计工具与设计方法的发展中,( )将成为设计的主流技术。
A:SOC B:SIC C:SIP D:DIP
在集成电路制造工艺中,不断扩大晶圆尺寸可以提高( )和降低( ),从而获取更大的利润。
A:芯片产量 B:成品率 C:集成度 D:芯片成本
中国本土半导体制造设备生产商的发展主要由半导体制造设备转向( ),同时加大对更高技术要求的半导体制造设备的研发。
A:太阳能电池生产设备 B:LED生产设备 C: 光刻机 D:蚀刻机
晶圆越( ),同一圆片上可生产的IC就多,可( ),但要求材料技术和生产技术更高。
A:大 B:小 C:降低成本 D:提高成本
宏力(华力)这一类的FAB厂主要完成的是芯片制造的( )部分。
A:前道工序 B:后道工序 C:晶圆制备 D:封装
集成电路的生产主要分三个阶段:( )、( )、( )。
A:IC封装 B:IC检测 C:Wafer的制备 D:IC的制造
( )指IC生产工艺可达到的最小导线宽度,是IC工艺先进水平的主要指标。
A:线宽 B:线径 C:线数 D:线长
( )是IC生产的主要工艺手段,是提高芯片制造的关键技术。
A:光刻 B:蚀刻 C:离子注入 D:CVD
( )称为系统级芯片,也称片上系统,它是一个产品,是一个有专用目标的集成电路,其中包含完整系统并有嵌入软件的全部内容。同时它又是一种技术,用以实现从确定系统功能开始,到软/硬件划分,并完成设计的整个过程。
A:SIP B:SOC C:SOP D:DIP
按照( )的不同,可将自然界中的物质分为导体、半导体和绝缘体。
A:物质导电性能 B:物质的材料 C:物质的能带理论 D:物质的开关性能
( )是所有半导体材料