光刻与刻蚀工艺流程.ppt

掌握
光刻胶的组成
+PR 和–PR的区别
描述光刻工艺的步骤
四种对准和曝光系统
Explain relationships of resolution and depth of focus to wavelength and numerical aperture.
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光刻概述 Photolithography
临时性地涂覆光刻胶到硅片上
把设计图形最终转移到硅片上
IC制造中最重要的工艺
占用40 to 50% 芯片制造时间
决定着芯片的最小特征尺寸
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光刻需要
高分辨率 High Resolution
光刻胶高光敏性 High PR Sensitivity
精确对准 Precision Alignment
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Photoresist(PR)-光刻胶
光敏性材料
临时性地涂覆在硅片表面
通过曝光转移设计图形到光刻胶上
类似于照相机胶片上涂覆的光敏材料
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Photoresist
Negative Photoresist
负性光刻胶-负胶
Positive Photoresist
正性光刻胶-正胶
曝光后不可溶解
曝光后可溶解
显影时未曝光的被溶解
显影时曝光的被溶解
便宜
高分辨率
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负胶的缺点
聚合物吸收显影液中的溶剂
由于光刻胶膨胀而使分辨率降低
其主溶剂,如二甲苯等会引起环境和安全问题
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正胶 Positive Photoresist
曝光部分可以溶解在显影液中
正影(光刻胶图形与掩膜图形相同)
更高分辨率(无膨胀现象)
在IC制造应用更为普遍
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对光刻胶的要求
高分辨率
– Thinner PR film has higher the resolution
– Thinner PR film, the lower the etching and ion implantation resistance
高抗蚀性
好黏附性
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光刻工艺 Photolithography Process
光刻基本步骤
•涂胶 Photoresist coating
•对准和曝光 Alignment and exposure
•显影 Development
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光刻工序
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