采用高质量分辨率辉光放电质谱仪测定高纯锑中痕量元素的含量.doc

采用高质量分辨率辉光放电质谱仪测定高纯锑中痕量元素的含量
编制说明
(送审稿)
2010年11月
采用高质量分辨率辉光放电质谱仪测定高纯锑中痕量元素的含量
任务来源及计划要求
1. 任务来源
高纯锑主要用于锑化镓、锑化铟等化合物半导体材料,是制作各种半导体光电器件的基础材料之一,在国民经济的各个部门和领域中发挥着重要作用。制定与我国国防科技工业科学技术发展水平相适应的高纯材料标准,对于促进半导体光电技术的进步和发展,提高我国国防科技工业水平,具有重大意义。
根据国家标委会下达的计划编号为2009-0226T~0229T-YS、2009-0268T-YS的任务,高纯锑的分析方法标准要求在2009~2010年完成。

峨嵋半导体材料厂专业从事多晶硅、单晶硅和高纯金属等半导体材料生产技术研究和生产,目前已发展成为在中国半导体材料行业集生产、科研、试制于一体的国有大型科技型企业,是国内重要的硅材料和高纯金属供应商之一,年产硅材料700吨、高纯金属65吨。研究所是国家242所重点科研院所之一,科研创新成果丰硕,历年来共承担完成国家级和省部级重点科研课题近300项,其中有75项成果获得省级以上科技进步奖,在中国半导体材料行业具有重要影响。
峨嵋半导体材料厂从事化合物半导体用高纯元素的研制已有四十多年的历史,生产科研试制体系完善,目前已完成近二十种元素材料和几十种化合物材料的生产工艺研究,形成多条产品生产线,工艺技术先进,技术基础优势明显,产品质量水平国内领先,为推动我国化合物半导体的应用研究和发展作出了贡献。厂、所高纯锑的工艺研究和生产试制始于上世纪70年代初,经过多年的研究发展,高纯锑生产规模也逐年扩大,产品纯度从5N不断提高7N,现有高纯锑生产线工艺先进,技术成熟,产品质量稳定,可以满足锑化镓、锑化铟等先进化合物半导体材料和器件制备的需要,多年来为国内的有关科研院所提供过大量的优质高纯度材料。峨嵋半导体材料厂检测设备齐全,拥有原子发射光谱仪、等离子发射光谱仪、原子吸收光谱仪、紫外分光光度仪、极谱仪、气相色谱仪、等离子质谱仪、辉光放电质谱仪等多种痕量分析仪器,产品分析检测体系完善,具备完成多种高纯元素材料分析检测的能力,并多次主持和参与国家及行业有关标准的制定和修订。

2009年,在中国有色金属标准委员会、半导体材料分会组织下,成立了以峨嵋半导体材料厂为主的标准起草小组。在厂主管领导的关心支持下,编制小组随即开展了有关资料、信息收集和调研工作。编制小组据此确立了本标准制定的基本思路,即立足我国的具体实际,以有色金属行业标准YS/T ~-1992为基础,参阅部分国内外辉光放电质谱相关方法标准,作为确定新标准技术要素和指标的依据。
标准编制小组经过认真调查、分析国内外高纯锑生产技术及分析检测手段,走访了国内高纯锑的主要用户,在综合研究、分析、整理数据的基础上,对技术要素、性能指标、试验方法等进行了确立,于2010年3月底完成该标准讨论稿。
二、标准的制定原则与标准的主要内容
1. 本标准制定所遵循的原则
“高纯锑”国家行业标准包括两方面内容;一方面新标准应力求达到较先进的标准水平,满足和保证行业应用的技术发展要求,同时也应结合我国材料工业技术发展水平的具体实际,正确兼顾