微机原理与接口技术楼顺天版课后题答案.doc

找了好久,终于在期末从老师那儿弄了一份,希望对大家有用!
tcyc(R)<4T-tda-tD-T
其中:T为8086微处理器的时钟周期;tda为8086微处理器的地址总线延时时间;tD为各种因素引起的总线附加延时。这里的tD应该认为是总线长度、附加逻辑电路、总线驱动器等引起的延时时间总和。
同理,存储器芯片的最小写入时间应满足如下表达式:
tcyc(W)<4T-tda―tD―T
,各需多少芯片?16位地址总线中有多少位参与片内寻址?多少位可用作片选控制信号?
(1)1k×1 (2)1k×4 (3)4k×8 (4)16k×4
解:(1)1k×1
片,
片内寻址:,共10位; 片选控制信号:,共6位。
(2)1k×4
片,
片内寻址:,共10位; 片选控制信号:,共6位。
(3)4k×8
片,
片内寻址:,共12位; 片选控制信号:,共4位。
(4)16k×4
片,
片内寻址:,共14位; 片选控制信号:,共2位。
,则利用上题中给出的RAM芯片,求出构成256kB存储模块各需多少块芯片?20位地址总线中有多少位参与片内寻址?多少位可用作片选控制信号?
解:(1)1k×1
片,
片内寻址:,共10位; 片选控制信号:,共10位。
(2)1k×4
片,
片内寻址:,共10位; 片选控制信号:,共10位。
(3)4k×8
片,
片内寻址:,共12位; 片选控制信号:,共8位。
(4)16k×4
片,
片内寻址:,共14位; 片选控制信号:,共6位。
,其存储器中RAM的容量为32kB,首地址为4000H,且地址是连接的。问可用的最高地址是多少?
解:32K==8000H,所以,最高地址为:
4000H+8000H-1=BFFFH
则,可用的最高地址为0BFFFH.
,末地址为7FFFH,求其内存容量。
解:7FFFH-4000H+1=4000H==16KB
内存容量为16KB。
8. 利用全地址译码将6264芯片接在8088的系统总线上,其所占地址范围为00000H~03FFFH,试画连接图。写入某数据并读出与之比较,若有错,则在DL中写入01H;若每个单元均对,则在DL写入EEH,试编写此检测程序。
解:因为6264的片容量为8KB。
RAM存储区域的总容量为03FFFH-00000H+1=4000H=16KB,故需要2片6264芯片。
。
与8088系统总线的连接图
检测程序段:
MOV AX,0000H
MOV DS,AX
MOV SI,0
MOV CX,16*1024
MOV AL,55H
CMPL: MOV [SI],AL
MOV BL,[SI]
CMP BL,AL
JNE ERROR
INC SI
LOOP CMPL
MOV DL,0EEH
JMP NEXT
ERROR: MOV DL,01H
NEXT:
…
,并说明EEPROM的编程过程。
解:EPROM芯片的编程有两种方式:标准编程和快速编程。
在标准编程方式下,每给出一个编程负脉冲就写入一个字节的数据。Vpp上加编程电压,地址线、数据线上给出要编程单元的地址及其数据,并使=0,=1。上述信号稳定后,在端加上宽度为50ms±5ms的负脉冲,就可将数据逐一写入。写入一个单元后将变低,可以对刚写入的数据读出进行检验。
快速编程使用100的编程脉冲依次写完所有要编程的单元,然后从头开始检验每个写入的字节。若写的不正确,则重写此单元。写完再检验,不正确可重写。
EEPROM编程时不需要加高电压,也不需要专门的擦除过程。并口线EEPROM操作与SRAM相似,写入时间约5ms。串行EEPROM写操作按时序进行,分为字节写方式和页写方式。
~A7FFFH的地址空间中,现限定要采用74LS138作为地址译码器,试画出包括板内数据总线驱动的连接电路图。
解:8088最大方式系统与存储器读写操作有关的信号线有:地址总线,数据总线:,控制信号:。
根据题目已知条件和74LS138译码器的功能,(a)所示, (b)所示。
(a)板内数据总线驱动电路
(b)板内存储器电路的连接图
,要将一块2764芯片连接到E0000H~E7FFFH